ТКАЧУК, О.І.; ЛОБАНОВ, В.В.; ТЕРЕБІНСЬКА, М.І. Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(42). Фізика і хімія твердого тіла, [S. l.], v. 16, n. 2, p. 316–321, 2015. DOI: 10.15330/pcss.16.2.316-321. Disponível em: https://personnel.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/1678. Acesso em: 28 вер. 2024.