Ткачук, О.І., et al. «Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(42)». Фізика і хімія твердого тіла, вип. 16, вип. 2, Червень 2015, с. 316-21, doi:10.15330/pcss.16.2.316-321.