Великий термодинамічний потенціал Гіббса в теорії кінетичних властивостей кристалів
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.7-14Ключові слова:
потенціал ГіббсаАнотація
В даній роботі за допомогою великого термодинамічного потенціалу Гіббса були обґрунтовані кінетичні тензори відомих в нерівноважній термодинаміці узагальнених рівнянь електропровідності та теплопровідності. Ці тензори визначають розрахункові алгоритми матеріальних тензорів провідних кристалів та коефіцієнтів різних гальваномагнітних і термомагнітних ефектів. Ці алгоритми – прагматичні формули в розрахункових задачах кінетичних властивостей кристалів та в задачах прогнозування напівпровідникових кристалів із заданими властивостями. Їх прагматичність підтверджується величезною кількістю наукових робіт присвячених дослідженням кінетичних властивостей напівпровідникових кристалів.
Посилання
[1] S. Budjak, The study of the phenomena of transport in semiconductors with a complex band spectrum. Abstract Doctoral Dissertation in physics and mathematics (Leningrad, 1985).
[2] J. S. Budjak, Thermodynamic methods in the study of the kinetic properties of semiconductors. Thermodynamics and materials of the semiconductors. Fourth USSR conference. (Thesis). Part 1, June, (M oscow, 1989). P.56.
[3] J. S. Budjak, New approach in the Kinetic Theory of Crystal Properties. Statistical Physics and Phase Transitions. Phys. in Ukraine. Inter. Conference, 22- 27 June (Kiev, 1993).
[4] J. S. Budjak, Elements of the theory of kinetic properties of the crystals (Lviv, Lviv Polytechnic, 1996). P. 66.
[5] B. M. Askerov, Kinetic effects in semiconductors (Nauka Publishers, Leningrad, 1985).
[6] B. M. Askerov, Electron transport phenomena in semiconductors (Nauka Publishers, Moskwa, 1985).
[7] J. S. Budjak, International research and practice conference :nanotechnologies and nanomaterials (nano–2016), 24–27 August (Lviv, Ukraine, 2016). P.576.
[8] J. S. Budjak, O.V. Zub, Lviv Polytechnic National University announcer 681, 173 (2010).
[9] J. S. Budjak, O.V. Zub, Eastern-European journal of enterprise technologies 3/7(45), 4 (2010).
[10] J. S. Budjak, O.V. Zub, VII international conference “Topical problems of semiconductors physics”, Sep.28 – Oct.1, thesis (Drohobych, Ukraine, 2010). P.91.
[11] J. S. Budjak, O.V. Zub, VII international conference “Topical problems of semiconductors physics”, Sep.28 – Oct.1, thesis (Drohobych, Ukraine, 2010).
[2] J. S. Budjak, Thermodynamic methods in the study of the kinetic properties of semiconductors. Thermodynamics and materials of the semiconductors. Fourth USSR conference. (Thesis). Part 1, June, (M oscow, 1989). P.56.
[3] J. S. Budjak, New approach in the Kinetic Theory of Crystal Properties. Statistical Physics and Phase Transitions. Phys. in Ukraine. Inter. Conference, 22- 27 June (Kiev, 1993).
[4] J. S. Budjak, Elements of the theory of kinetic properties of the crystals (Lviv, Lviv Polytechnic, 1996). P. 66.
[5] B. M. Askerov, Kinetic effects in semiconductors (Nauka Publishers, Leningrad, 1985).
[6] B. M. Askerov, Electron transport phenomena in semiconductors (Nauka Publishers, Moskwa, 1985).
[7] J. S. Budjak, International research and practice conference :nanotechnologies and nanomaterials (nano–2016), 24–27 August (Lviv, Ukraine, 2016). P.576.
[8] J. S. Budjak, O.V. Zub, Lviv Polytechnic National University announcer 681, 173 (2010).
[9] J. S. Budjak, O.V. Zub, Eastern-European journal of enterprise technologies 3/7(45), 4 (2010).
[10] J. S. Budjak, O.V. Zub, VII international conference “Topical problems of semiconductors physics”, Sep.28 – Oct.1, thesis (Drohobych, Ukraine, 2010). P.91.
[11] J. S. Budjak, O.V. Zub, VII international conference “Topical problems of semiconductors physics”, Sep.28 – Oct.1, thesis (Drohobych, Ukraine, 2010).
