Електрична нестабільність кристалів CdTe:Si

Анотація

У роботі наведені результати досліджень температурних залежностей електропровідності та постійної Холла у кристалах CdTe, легованих кремнієм (концентрація домішки у розплаві була 10 ¹⁸ -10¹⁹ см^-3). Проведена класифікація досліджуваних зразків і умов, при яких можуть реалізуватися конкретні домішкові стани. Знайдено відмінність між трьома групами кристалів CdTe:Si: (1) ‑ низькоомні кристали p-типу з мілкими акцепторами, у яких домішка Si локалізована головним чином у великих вкрапленнях; (2) ‑ напівізолюючі кристали з глибокими акцепторами і преципітатами Si субмікронного розміру, які є джерелом міжвузлових мілких донорів Si_i; (3) ‑ низькоомні кристали, у яких n-тип провідності забезпечується мілкими донорами Si_i (і/або) Si_Cd. Таким чином, кремній відповідальний за n-тип провідності легованих кристалів, якщо він впроваджений як донор Si_i, і забезпечує напівізолюючий стан шляхом формування глибоких акцепторних комплексів (Si_Cd^-V_Cd^2-)^- з енергетичним рівнем (Е_v+0,65 еВ). Субмікронні преципітати кремнію, що мають тенденцію до розчинення при відносно низьких температурах, можуть діяти як електрично активні центри.