Травлення монокристалів CdTe, ZnxCd1-xTe і CdхHg1-хTe водними розчинами HNO3 – НІ – гліцерин
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.117-121Ключові слова:
напівпровідник, тверді розчини, монокристал, травник, поверхня, хімічне травлення, хіміко-динамічне поліруванняАнотація
Досліджено процеси хімічного розчинення монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe (х = 0,04 та 0,1) і Cd0,2Hg0,8Te в водних розчинах HNO3 – НІ – гліцерин. Визначено залежності швидкості травлення вказаних матеріалів від концентрації окисника та органічного розчинника і кінетичні особливості процесу. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні монокристалів досліджуваних напівпровідникових матеріалів.
Посилання
[1] E.O. Bіlevich, Formuvannja polіrovanoї poverhnі monokristalіv teluridu kadmіju ta tverdih rozchinіv na jogo osnovі v travil'nih kompozicіjah HNO3–NHal–kompleksoutvorjuvach dlja priladіv elektronnoї tehnіki. Dis. ... kand. tehn. Nauk (Kyiv, 2002).
[2] R.O. Denisjuk, Z.F. Tomashik, O.S. Chernjuk, V.M. Tomashik, І.І. Gnatіv, Physics and Chemistry of Solid State, 10(1), 134 (2009).
[3] R.O. Denisjuk, V.M. Tomashik, E.E. Gvozdіevs'kij, Voprosy himii i himicheskoj tehnologii 2(106), 51 (2016).
[4] F.S. Novik, R.S.Minc, Ju.S. Malkov, Zavodskaja laboratorija 53(7), 840 (1967).
[2] R.O. Denisjuk, Z.F. Tomashik, O.S. Chernjuk, V.M. Tomashik, І.І. Gnatіv, Physics and Chemistry of Solid State, 10(1), 134 (2009).
[3] R.O. Denisjuk, V.M. Tomashik, E.E. Gvozdіevs'kij, Voprosy himii i himicheskoj tehnologii 2(106), 51 (2016).
[4] F.S. Novik, R.S.Minc, Ju.S. Malkov, Zavodskaja laboratorija 53(7), 840 (1967).
##submission.downloads##
Опубліковано
2017-03-15
Як цитувати
Гвоздієвський, Є., Денисюк, Р., Томашик, В., & Томашик, З. (2017). Травлення монокристалів CdTe, ZnxCd1-xTe і CdхHg1-хTe водними розчинами HNO3 – НІ – гліцерин. Фізика і хімія твердого тіла, 18(1), 117–121. https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.117-121
Номер
Розділ
Наукові статті
