Electrophysical Properties of Indium Doped As2(S, Se)3 thin Films

Я.В. Грицище; М.І. Козак; І.І. Чичура; А.М. Соломон; В.М. Красилинець; В.Ю. Лоя

doi:10.15330/pcss.17.4.511-514

Автор(и)

Я.В. Грицище Інститут електронної фізики НАН України
М.І. Козак Ужгородський національний університет
І.І. Чичура Ужгородський національний університет
А.М. Соломон Інститут електронної фізики НАН України
В.М. Красилинець Інститут електронної фізики НАН України
В.Ю. Лоя Інститут електронної фізики НАН України

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.17.4.511-514

Ключові слова:

халькогенідні стекла, енергія активації, модифікація, тонкі плівки, фотопровідність

Анотація

Проведено електрофізичні дослідження модифікованих індієм тонких плівок на основі склоподібних As₂S₃ та As₂Se₃. Визначено енергію активації та виявлено фотоелектричну пам’ять у досліджуваних зразках.

Посилання

[1] K. K. Shvarc, Fizika opticheskoj zapisi v dijelektrikah i poluprovodnikah (Zinatne, Riga, 1986). Jelektronnye javlenija v hal'kogenidnyh stekloobraznyh poluprovodnikah, pod redakciej
[2] K. D. Cjendina (Nauka, SPb., 1996).
[3] V. Tmovcova, I. Furar, D. Lezal, J. Non-Cryst. Solids, 353, 1311(2007).
[4] T. F. Mazec, N. N. Smirnova, Je. A. Smorgonskaja, V. K. Tihomirov, PZhTF 18(13), 46 (1992).
[5] V. M. Zhiharev, V. Ju. Loja, A. M. Solomon, Ja. V. Gricishhe, Naukovij vіsnik UzhNU. Serіja Fіzika (37), 89 (2015).
[6] G. Z. Vinogradova, Stekloobrazovanie i fazovye ravnovesija v hal'kogenidnyh sistemah (Nauka, Moskva, 1984).
[7] A. Kolobov, S. R. Elliott, Advances in Physics, 44:5, 684 (1991).
[8] K. Dhimakawa, A. Kolobov, S. R. Elliott, Advances in Physics, 44:6, 588 (1995).