Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.17.1.7-10Ключові слова:
квантовий напівпровідниковий дріт, гауссові флуктуації товщини, електропровідність, термоерс, теплопровідністьАнотація
Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідникового дроту внаслідок гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких температурах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем.
Посилання
[1] P. K. Basu, P. Ray, Phys. Rev. B, 44(4), 1844 (1991).
[2] H. Smith, H. Hojgaard, Transport Phenomena (University Press, Oxford, 1989).
[3] H. Bruns, K. Flensberg, H. Smith, , Phys. Rev. B, 48(15), 11144 (1993).
[4] M. A. Ruvіns'kij, B. M. Ruvіns'kij, FTP, 39(2), 247(2005).
[5] B. M. Ruvіns'kij, M. A. Ruvіns'kij, Physics and Chemistry of Solid State 15(4), 689 (2014).
[6] A. I. Ansel'm, Vvedenie v teoriju poluprovodnikov (Nauka, Moskva, 1978).
[7] Dzh. Zajman, Principy teorii tvjordogo tela (Mir, Moskva, 1974).
[8] B. K. Ridley, Quantum Processes in Semiconductors (Clarendon Press, Oxford, 1999).
[9] J. Imri, Vvedenie v mezoskopicheskuju fiziku (Fizmatlit, Moskva, 2002).
[10] B. M. Askerov, Jelektronnye javlenija perenosa v poluprovodnikah (Nauka, Moskva, 1985).
[11] M. S. Svirskij, Jelektronnaja teorija veshhestva (Prosveshhenie, Moskva, 1980).
[2] H. Smith, H. Hojgaard, Transport Phenomena (University Press, Oxford, 1989).
[3] H. Bruns, K. Flensberg, H. Smith, , Phys. Rev. B, 48(15), 11144 (1993).
[4] M. A. Ruvіns'kij, B. M. Ruvіns'kij, FTP, 39(2), 247(2005).
[5] B. M. Ruvіns'kij, M. A. Ruvіns'kij, Physics and Chemistry of Solid State 15(4), 689 (2014).
[6] A. I. Ansel'm, Vvedenie v teoriju poluprovodnikov (Nauka, Moskva, 1978).
[7] Dzh. Zajman, Principy teorii tvjordogo tela (Mir, Moskva, 1974).
[8] B. K. Ridley, Quantum Processes in Semiconductors (Clarendon Press, Oxford, 1999).
[9] J. Imri, Vvedenie v mezoskopicheskuju fiziku (Fizmatlit, Moskva, 2002).
[10] B. M. Askerov, Jelektronnye javlenija perenosa v poluprovodnikah (Nauka, Moskva, 1985).
[11] M. S. Svirskij, Jelektronnaja teorija veshhestva (Prosveshhenie, Moskva, 1980).
##submission.downloads##
Опубліковано
2016-03-15
Як цитувати
Рувінський, М., Костюк, О., & Рувінський, Б. (2016). Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту . Фізика і хімія твердого тіла, 17(1), 7–10. https://doi.org/10.15330/pcss.17.1.7-10
Номер
Розділ
Наукові статті
