Теоретичні та експериментальні дослідження лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.16.4.675-678Ключові слова:
оксид кремнію, лазерний відпал, нанокристал, рівняння теплопровідностіАнотація
В даній роботі було досліджено розповсюдження температурних профілів та вплив температури на формування наночастинок кремнію в нестехіометричних плівках SiOx після лазерного відпалу. З залученням параболічного рівняння теплопровідності було проведено математичне моделювання формування температурних профілів в нестехіометричній плівці SiOx після лазерного відпалу. Показано, що температура 1800 К на поверхні SiOx достатня для розділення речовини плівки на діоксид кремнію і його наночастинки. ІЧ-дослідження підтвердили таке розмежування.
Посилання
T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa, J. Appl. Phys. 83, 2228 (1998).
K. Sato, T. Izumi, M. Iwase, Y. Show, H. Morisaki, T. Yaguchi, T. Kamino, J. Appl. Surf. Sci. 216, 376 (2003).
T. van Buuren, L. N. Dinh, L. L. Chase, W. J. Siekhaus, L. J. Terminello, J. Phys. Rev. Lett. 80, 3803 (1998).
M. Zacharias, J. Bläsing, P. Veit, L. Tsybeskov, K. Hirschman, P. M. Fauchet, J. Appl. Phys. Lett. 74, 2614 (1999).
O. L. Bratus’, A. A. Evtukh, O. S. Lytvyn, M. V. Voitovych, V. О. Yukhymchuk, Semiconductor Physics, J. Semiconductor Phys., Quantum Electronics & Optoelectronics, 14, 247 (2011).
L. Patrone, D. Nelson, V. I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio, J. Appl. Phys. 87, 3829 (2000).
T. Díaz-Becerril, G. García-Salgado, A. Coyopol, E. Rosendo-Andrés, H. Juárez, J. Mater. Sci. Forum. 636-637, 444 (2010).
A. V. Lykov, The theory of thermoconductivity (Vyscha shkola, Moscow, 1967).
О. О. Gavrylyuk, O. Yu. Semchuk, O. L. Bratus, A. A. Evtukh, O. V. Steblova, L. L., J. Appl. Surf. Sci. 302, 213 (2014).
O. O. Gavrylyuk, O. Yu. Semchuk, O. V. Steblova, A. A. Evtukh, L. L. Fedorenko, J. Ukrainian journal of phys. 59, 712 (2014).
O. O. Gavrylyuk, O. Yu. Semchuk, O. V. Steblova, A. A. Evtukh, L. L. Fedorenko, O. L. Bratus, S. O. Zlobin, M. Karlsteen, J. Appl. Surf. Sci. 336, 217 (2015).
O. V. Steblova, A. A. Evtukh, O. L. Bratus’, L. L. Fedorenko, M. V. Voitovych, O. S. Lytvyn, O. O. Gavrylyuk, O. Yu. Semchuk, J. Semiconductor Phys., Quantum Electronics & Optoelectronics 17, 295 (2014).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
