Кінетика процесів росту наноструктур PbTe:Bi на слюді
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.293-296Ключові слова:
розподіл, наноструктури, телурид свинцю, кінетика процесу ростуАнотація
У роботі проаналізовано результати досліджень атомно-силовою мікроскопією топології поверхні епітаксійних наноструктур плюмбум телуриду легованого бісмутом, вирощених із парової фази методом гарячої стінки на сколах (0001) слюди - мусковіт марки СТА. Встановлено особливості кінетики процесу формування поверхневих нанокристалічних пірамід, визначено температурні умови переважання вагнерівського мономолекулярного механізму росту. Встановлено, що епітаксійний ріст поверхневих нанокластерів РbТе:Bi за температур осадження 150 – 200 0С здійснюється за вагнерівським механізмом якщо час осадження менший 15 хв.
Посилання
[1] N. H. Abrikosov, L. E. Shelimova, Poluprovodnikovye materialy na osnove soedinenij AIVBVI (Nauka, Moskva, 1975).
[2] R. D. Vengrenovich, B. V. Іvans'kij, A. V. Moskaljuk, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 10(1), 19 (2009).
[3] L. S. Palatnik, M. Ja. Fuks, V. M. Kosevich, Mehanizm obrazovanija i substruktura kondensirovannyh plenok (Nauka, Moskva, 1972).
[2] R. D. Vengrenovich, B. V. Іvans'kij, A. V. Moskaljuk, Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 10(1), 19 (2009).
[3] L. S. Palatnik, M. Ja. Fuks, V. M. Kosevich, Mehanizm obrazovanija i substruktura kondensirovannyh plenok (Nauka, Moskva, 1972).
