Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(42)
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.316-321Ключові слова:
поверхня кремнію, адсорбція германію, метод теорії функціонала густини, кластерний підхідАнотація
Розрахунки (ТФГ, B3LYP, 6-31 G**) хімічних зсувів компоненти остівного рівня атомів германію, які входять в поверхневий шар кластера Si96H84•Ge2, що моделює молекулярний адсорбційний комплекс германію на реконструйованій грані Si(001)(4´2), показали що величина їх зсуву залежить від взаємного розташування атомів Ge. При впровадженні одного атома германію в кристалічну підкладку цей зсув позитивний, а впровадження двох атомів приводить до негативного хімічного зсуву. Дано трактування отриманих результатів, виходячи з розподілу заряду в кластерах, в так званому електростатичному наближенні.
Посилання
[1] M. G. Gomojunova, I. I. Pronin, Zhurnal tehnicheskoj fiziki 74(10), 1 (2004).
[2] A. A. Shkljaev, M. Ichikava, Uspehi fizicheskih nauk 176(9), 913 (2006).
[3] F. A. Cotton, G. Wilkinson, J. Wiley and Sons, New York. London, Sidney 2, 494 (1969).
[4] F. Ratto, A. Locatelli, S. Fontana, S. Kharrazi, S. Ashtaputre, S. K. Kulkarni, S. Heun, and F. Rosei, Phys. Rev. Lett. 96, 1 (2006).
[5] A. Cohen Simonsen, M. Schleberger, S. Tougaard, J. L. Hansen, A. Nylandsted Larsen, Thin Solid Films 338, 165 (1999).
[6] K. Zigban, K. Norling, A. Fal'man et al. Jelektronnaja spektroskopija (Mir, M. 1971).
[7] D. Briggs, M. P. Sih, Analiz poverhnosti metodami Ozhe- i rentgenovskoj fotojelektronnoj spektroskopii (Mir, M. 1987).
[8] Ju. A. Teterin, S. G. Gagarin, Uspehi himii 895 (1996).
[9] M. W. Schmidt, K. K. Baldridge, J. A. Boatz et al. J. Comput. Chem. 14 (11), 1347 (1993).
[10] R. G. Parr, W. Yang, Density-functional theory of atoms and molecules. Oxford: Oxford Univ. Press, (1989).
[11] A. D. Becke, Phys. Rev. A 38(6), 3098 (1988).
[12] O. І. Tkachuk, M. І. Terebіnska, V. V. Lobanov, Poverhnost'. 5(20), 26 (2013).
[2] A. A. Shkljaev, M. Ichikava, Uspehi fizicheskih nauk 176(9), 913 (2006).
[3] F. A. Cotton, G. Wilkinson, J. Wiley and Sons, New York. London, Sidney 2, 494 (1969).
[4] F. Ratto, A. Locatelli, S. Fontana, S. Kharrazi, S. Ashtaputre, S. K. Kulkarni, S. Heun, and F. Rosei, Phys. Rev. Lett. 96, 1 (2006).
[5] A. Cohen Simonsen, M. Schleberger, S. Tougaard, J. L. Hansen, A. Nylandsted Larsen, Thin Solid Films 338, 165 (1999).
[6] K. Zigban, K. Norling, A. Fal'man et al. Jelektronnaja spektroskopija (Mir, M. 1971).
[7] D. Briggs, M. P. Sih, Analiz poverhnosti metodami Ozhe- i rentgenovskoj fotojelektronnoj spektroskopii (Mir, M. 1987).
[8] Ju. A. Teterin, S. G. Gagarin, Uspehi himii 895 (1996).
[9] M. W. Schmidt, K. K. Baldridge, J. A. Boatz et al. J. Comput. Chem. 14 (11), 1347 (1993).
[10] R. G. Parr, W. Yang, Density-functional theory of atoms and molecules. Oxford: Oxford Univ. Press, (1989).
[11] A. D. Becke, Phys. Rev. A 38(6), 3098 (1988).
[12] O. І. Tkachuk, M. І. Terebіnska, V. V. Lobanov, Poverhnost'. 5(20), 26 (2013).
##submission.downloads##
Опубліковано
2015-06-15
Як цитувати
Ткачук, О., Лобанов, В., & Теребінська, М. (2015). Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(42). Фізика і хімія твердого тіла, 16(2), 316–321. https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.316-321
Номер
Розділ
Наукові статті
