Теорія динамічної провідності трибар’єрної резонансно-тунельної структури з двофотонними лазерними переходами
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.16.1.7-13Ключові слова:
квантовий каскадний лазер, резонансно-тунельна структура, динамічна провідність, двофотонні електронні переходиАнотація
У наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних ям і бар’єрів для електрона, з використанням знайдених розв’язків повного рівняння Шредінгера, розвинена теорія активної динамічної провідності трибар’єрної резонансно-тунельної структури (InGaAs/InAlAs) з різними глибинами потенціальних ям у слабкому електромагнітному полі в одно- та двофотонному наближенні.
Показано, що зміною концентрації Ga можна отримати такі геометричні конфігурації наноструктури, як активної зони квантового каскадного лазера, в яких на основі електронних квантових переходів з випромінюванням двох фотонів однакової енергії відбувається зростання інтенсивності лазерного випромінювання. Встановлено, що вклад двофотонних переходів у сумарну величину динамічної провідності складає не менше ніж 37 %.
Посилання
K. Ohtani, M. Beck and J. Faist, Appl. Phys. Lett. 98(9), 091105 (2014).
L. Nevou, E. Giraud, F. Castellano, N. Grandjean and J. Faist, Optics Express 22(2), 3199 (2014).
A. Buffaz, M. Carras, L. Doyennette, A. Nedelcu, X. Marcadet and V. Berger, Appl. Phys. Lett. 96(17), 172101 (2010).
Shen-Qiang Zhai, Jun-Qi Liu, Feng-Qi Liu and Zhan-Guo Wang, Appl. Phys. Lett. 100(18), 181104 (2012).
M. V. Tkach, Ju. O. Seti, I. V. Boyko, O. M. Voitsekhivska, Condensed Matter Physics, 16(3), 33701 (2013).
M. Tkach, Ju. Seti, I. Boyko, O. Voitsekhivska, Romanian Reports in Physics 65(4), 1443 (2013).
M. V. Tkach, Ju. O. Seti, V. O. Matijek, I. V. Boyko, Journal of Physical Studies 16(4), 4701 (2012).
E. Saczuk and J. Z. Kaminski. Laser Physics, 15(12), 1691 (2005).
N. V. Tkach, Ju. A. Seti. JETP Letters, 95(5), 271 (2012).
M. V. Tkach, Ju. O. Seti, O. M. Voitsekhivska, Acta Physica Polonica A 124(1), 94 (2013).
N. V. Tkach, Ju. A. Seti, Semiconductors 48(5), 590 (2014).
A. B. Pashkovskii, JETP Letters 89(1), 30 (2009).
A. B. Pashkovskii, Semiconductors, 45(6), 759 (2011).
N. V. Tkach and Ju. A. Seti, Low Temp. Phys. 35(7), 556 (2009).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
