Influence of laser radiation on optical properties of high resistivity crystals CdTe and solid solutions Cd1-xZnxTe

П. О. Генцарь; С. М. Левицький

doi:10.15330/pcss.21.1.68-72

Автор(и)

П. О. Генцарь Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
С. М. Левицький Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.21.1.68-72

Ключові слова:

CdTe, CdZnTe, пропускання, відбивання, поглинання, лазерне опромінення

Анотація

В даній роботі проведено оптичні дослідження спектрів пропускання та відбивання монокристалів
р-CdTe(111); твердих розчинів Cd_1-хZn_хTe (х = 0,1) в діапазоні (0,2 - 1,7)·10^-6м до та після лазерного опромінення на довжині світлової хвилі λ = 532 нм в інтервалі енергій 66 - 164 мДж/см² для CdTe(111) та в інтервалі енергій 46,6 мДж/см²-163,5 мДж/см² для Cd_1-хZn_xTe (x = 0,1). Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників що мають дефектну структуру і володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв’язувати домішки.

Посилання

D.V. Korbutyak, S.V. Melnychuk. E.V. Corbut, M.M. Borysyuk, Cadmium telluride: impurity-defect states and detector properties (Ivan Fedorov, Kyiv, 2000).

V.I. Khivrich, Effects of compensation and penetrating radiation in CdTe single crystals (Institute for Nuclear Research, Kyiv, 2010).

T.E. Schlesinger, J.E. Toney, H. Yoon, E.Y. Lee, B.A. Brunett, L. Franks, R.B. James, Materials Science and Engineering, 32, 103 (2001) (https://doi.org/10.1016/S0927-796X(01)00027-4.

V.A. Gnatyuk, T. Aoki, O.I. Vlasenko, S.N. Levytskyi, 2011 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference Record (NSS/MIC), (IEEE, Valencia, 2011), p. 4506.

P.O. Genzar, O.I. Vlasenko, S.M. Levitskyi, V.A. Gnatyuk, PCSS, 15 (4), 856 (2014).

P.O. Genzar, O.I. Vlasenko, S.M. Levitskyi, V International Scientific and Practical Conference on Semiconductor Materials, Information Technologies and Photovoltaics (SMITP-2018), (Kremenchuk Mykhaylo Ostrogradsky National University, Kremenchuk, 2018), p. 12.

F. Bechstedt, R. Enderline, Surfaces and Boundaries of the Semiconductor Division (Mir, Moscow, 1990).

Problems of surface physics of semiconductors (Naukova Dumka, Kyiv, 1981).

V.E. Primachenko, O.V. Snitko, Physics of a metal-doped semiconductor surface (Naukova Dumka, Kyiv, 1988).