Особливості структурних неоднорідностей в легованих монокристалах антимоніду кадмію
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.18.3.312-323Ключові слова:
анізотропія, кристал, домішка, опір, неоднорідності, шарувата cструктураАнотація
У роботі представлені результати досліджень по виявленню неоднорідностей в кристалах CdSb, легованих Te. Робота переслідує мету дослідити структурні неоднорідності та встановити наявність періодичності в розподілі даних неоднорідностей. Виявлено за допомогою двозондового компенсаційного методу, оптичної топографії, растрової електронної мікроскопії та EDX-аналізу наявність шаруватої структури з декількома типами шарів, що характеризуються різними періодами.
Посилання
K. Rave, Defects and impurities in semiconductor silicon (Springer, Verlag, 1984).
A.J.R. de Kock, S.O. Ferris, L.C. Kimerling, H.J. Leamy, J. Appl. Phys. 48(1), 301 (1977).
H. Ueda, J. Phys. Soc. Jap. 16(1), 61 (1961).
P.I. Baranskii, A.V. Fedosov, G.P. Gaydar, Neodnoridnosti napivprovidnikiv i aktualni zadachi mizhdefektnoyi vzayemodiyi v radiatsiyniy fizitsi i nanotechnologiyi (Nadstir’ya, Lutsk, 2006).
A.K. Semenyuk, Issledovanie electrofizicheskih parametrov kremniya, prednaznachenogo dlya izgotovleniya silovih poluprovodnikovih priborov, otchet po teme № 4320 (Lviv, 1987).