Кінетичні ефекти у кристалах антимоніду кадмію до і після гамма-опромінення
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.21.2.266-271Ключові слова:
антимонід кадмію, гамма-опромінення, доза опромінення, радіаційні дефекти, концентрація носіївАнотація
Проведено дослідження впливу великих доз гамма-квантів 60Co на електричні властивості кристалів антимоніду кадмію з різною вихідною електропровідністю. Виявлено, що при гамма-опроміненні в ґратку матеріалу вводяться радіаційні дефекти як донорного, так і акцепторного типів. Їх вплив залежить від рівня легування та типу провідності вихідного матеріалу. Ефективність видалення носіїв є наслідком участі атомів домішки в утворенні відповідних радіаційних дефектів з глибокими енергетичними рівнями.
Посилання
G.V. Rakin, V.I. Ust'yanov, Proceedings of the Meeting "Radiation Physics of Non-Metallic Crystals" (Nauk. Dumka, Kyiv, 1967), p. 265.
A.K. Semenyuk, Radiation effects in multi-valley semiconductors (Nadstyria, Lutsk, 2001).
S.A. Fedosov, G.E. Davidyuk, V.V. Bozhko, A.I. Rarenko, V.P. Doskoch, N.S. Bogdanyuk, Inorg. Mater. 32(11), 1166 (1996) (https://www.pleiades.online/contents/inorgmat/inorgmat11_96v32cont.htm).
Yu.V. Koval, Functional Materials 13(3), 397 (2006) (http://functmaterials.org.ua/contents/13-3/).
V.B. Lazarev, V.Ya. Shevchenko, Ya.H. Greenberg, V.V. Sobolev, A2B5 Semiconductor Compounds (Nauka, Moscow, 1978).
A.V. Fedosov, Y.V. Koval, L.V. Jashchinskij, O.V. Kovalchuk, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 10(3), 17 (2007) (https://doi.org/10.15407/spqeo10.03.017).
Yu.V. Koval, D.A. Zakharchuk, L.V. Yashchynskyy, L.I. Panasyuk, S.A. Fedosov, Physics and Chemistry of Solid State 18(3), 321 (2017) (https://doi.org/10.15330/pcss.18.3.321-323).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
