Вплив поверхні на спектри електровідбивання n-Si(110) та їх поляризаційну анізотропію

Автор(и)

  • П.О. Генцарь Інститут фізики напівпровідників НАН України ім. В. Є. Лашкарьова
  • М.В. Вуйчик Інститут фізики напівпровідників НАН України
  • О.В. Стронський Інститут фізики напівпровідників НАН України ім. В. Є. Лашкарьова

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.21.3.440-444

Ключові слова:

електровідбивання, ефект Келдиша-Франца, поверхнева складова електровідбивання, об’ємна складова електровідбивання, n-Si (110)

Анотація

Проаналізовано спектри електровідбивання, включаючи їх поляризаційні залежності, для n-Si (110) в енергетичному діапазоні 2,9-3,8 еВ. Були ідентифіковані та відокремлені два внески, що випливають із поверхневої (ізотропна частина відноситься до лінійного електрооптичного ефекту, властивого для (110) поверхні) та об'ємної складових (анізотропна частина стосується ефекту Франца - Келдиша) на основі оптичної анізотропії електрооптичного ефекту. Наявність такої крайності пояснюється нульовим значенням функції електронної хвилі на поверхні та (або) структурним гетеруванням вільних носіїв.

Посилання

M. Cardona, Solid State Physics: Modulation Spectroscopy (Academic Press: 1969).

V.А. Tyagay, O.V. Snitko, Electrootrazheniye sveta v poluprovodnikah (Kyiv: Naukova Dumka: 1980) (in Russian).

P. Yu, M. Cardona, Osnovy poluprovodnikov (Fizmatlit, Moskow, 2002) (in Russian).

Yu.V. Borobyev, V.N. Dobrovolski, V.I. Strikha, Metodi isledovaniya poluprovodnikov (: Vyscha Shkola, Kyiv, 1988) (in Russian).

G.P. Peka, V.І. Strikha, Poverhnevi ta kontaktni yavyscha v napivprovidnikah (: Lybid’, Kyiv, 1992).

А.М. Yevstigneev, О.V. Snitko, L.V. Artamonov, P.O. Gentsar, A.N. Krasiko, Ukr. J. Phys. 31(5), 756 (1986).

А.М. Yevstigneev, О.V. Snitko, A.N. Krasiko, P.O. Gentsar, Ye.V. Mozdor, Ukr. J. Phys. 32(2), 269 (1987).

O.I. Vlasenko, P.O. Gentsar, A.V. Stronski, Functional Materials 16(3), 286 (2009).

P.О. Gentsar, New technology: Issue of Kremenchuk University of Economy, Information technology and Management 3(33), 17 (2011) (in Ukrainian).

R.Del Sole, D.E. Aspnes, Phys. Rev. B 17(8), 3310 (1978) (DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.17.3310).

D.E. Aspnes, Surface Schience 37(2), 418 (1973) (DOI: https://doi.org/10.1016/0039-6028(73)90337-3).

K. Kondo, A. Moritani, Phys. Rev. B 14(4), 1577 (1976) (DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.14.1577).

К.V. Shalimova, Fizika poluprovodnikov (Moskow: Energoatomizdat: 1985) (in Russian).

E.F. Venger, P.O. Gentsar, L.A. Matveeva, Ukr. J. Phys. 51(7), 679 (2006).

P.A. Gentsar, A.I. Vlasenko, Semiconductors 40(9), 1066 (2006) (DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782606090144).

P.O. Gentsar, О.I. Vlasenko, О.V. Stronskii, Physics and Chemistry of Solid State 7(4), 780 (2006).

##submission.downloads##

Опубліковано

2020-09-30

Як цитувати

Генцарь, П., Вуйчик, М., & Стронський, О. (2020). Вплив поверхні на спектри електровідбивання n-Si(110) та їх поляризаційну анізотропію. Фізика і хімія твердого тіла, 21(3), 440–444. https://doi.org/10.15330/pcss.21.3.440-444

Номер

Розділ

Наукові статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають