Синтез і електротранспортні властивості напівпровідникового твердого розчину Er1-xScxNiSb
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.22.1.146-152Ключові слова:
напівпровідник, електропровідність, коефіцієнт термо-ерс, рівень ФерміАнотація
Методом електродугового плавлення синтезовано зразки твердого розчину Er1-xScxNiSb (х=0–0.10) та досліджено вплив легування атомами Sc на електрокінетичні та енергетичні характеристики фази пів-Гейслера ErNiSb за температур 80–400 К. Встановлено, що за досліджених концентрацій Er1-xScxNiSb основними носіями електрики в напівпровіднику є дірки. Показано, що легування р-ErNiSb атомами Sc шляхом заміщення у позиції 4а атомів Er супроводжується зайняттям ними наявних вакансій у позиції 4а, що веде до зменшення та ліквідації структурних дефектів акцепторної природи та відповідної акцепторної зони. При цьому у позиції 4а генеруються структурні дефекти донорної природи та з’являється домішкова донорна зона. Співвідношення генерованих іонізованих акцепторів і донорів визначає положення рівня Фермі та механізми електропровідності Er1-xScxNiSb. Досліджений твердий розчин Er1-xScxNiSb є перспективним термоелектричним матеріалом.
Посилання
R.V. Skolozdra, A. Guzik, A.M. Goryn, J. Pierre, Acta Phys. Polonica A 92, 343 (1997).
V.А. Romaka, Yu.V. Stadnyk, V.Ya. Krajovskyj, L.P. Romaka, О.P. Guk, V.V. Romaka, M.M. Mykyychuk, А.М. Horyn, New thermosensitive materials and temperature converters (Lviv Polytech. Univ., 2020).
L.I. Anatychuk, Thermoelements and thermoelectric devices (Naukova dumka, Kyiv, 1979).
Karla, J. Pierre, R.V. Skolozdra, J. Alloys Compd. 265, 42 (1998) (https://doi.org/10.1016/S0925-8388(97)00419-2).
O.A. Geraschenko, А.N. Gordov, А.K. Eremina, V.I. Lach, Ya.T. Lutsyk, V.I. Putsylo, B.I. Stadnyk, N.А. Yaryshev, Temperature measurements (Naukova dumka, Kyiv, 1989).
L.P. Romaka, D. Kacharovski, A.M. Нoryn, Yu.V. Stadnyk, V.Ya. Krayovskyy, V.V. Romaka, Phys. Chem. Sol. St. 17(1), 37 (2016) (https://doi.org/10.15330/pcss.17.1.37-42).
V.V. Romaka, L. Romaka, A. Horyn, Yu. Stadnyk, J. Alloys Compd. 855, 157334 (2021) (https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.157334).
V.A. Romaka, Yu. Stadnyk, L. Romaka, V. Krayovskyy, A. Нoryn, P. Klyzub, V. Pashkevych, Phys. Chem. Sol. St. 21(4), 689 (2020) (https://10.15330/pcss.21.4.689-694).
Wolanska, K. Synoradzki, K. Ciesielski, K. Zaleski, P. Skokowski, D. Kaczorowski, Mater. Chem. Phys. 227, 29 (2019) ( https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2019.01.056).
K. Synoradzki, K. Ciesielski, I. Veremchuk, H. Borrmann, P. Skokowski, D. Szymanski, Y. Grin, D. Kaczorowski, Materials 12, 1723 (2019) (https://doi:10.3390/ma12101723).
T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal, Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7 378-381, 118 (2001) (https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.378-381.118).
S. Babak, V. Babak, A. Zaporozhets, A. Sverdlova, Proceeds. Second Intern. Workshop on Computer Modeling and Intelligent Systems (CMIS-2019), Zaporizhzhia, Ukraine, April 15-19, 2019. 810 (2019). (CEUR Workshop Proceedings, Vol. 2353) (http://ceur-ws.org/Vol-2353/paper64.pdf).
B.I. Shklovskii, A.L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer-Verlag, NY, 1984) (http://doi10.1007/978-3-662-02403-4).
N.F. Mott, E.A. Davis, Electronic Processes In Non-crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
