Електропровідність та магнетоопір мікроструктур кремнію за низьких температур в околі переходу метал-діелектрик
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.19.3.246-253Ключові слова:
мікрокристал, від’ємний магнітоопір, спін, кріогенні температуриАнотація
Проведено комплексні дослідження мікрокристалів кремнію з питомим опором від ρ300К =
0,025 Ом×см до ρ300К = 0,007 Ом×см, легованих транспортною домішкою бору до концентрацій, що
відповідають переходу метал-діелектрик та модифікованих домішкою перехідного металу нікелю за
низьких температур до температури скрапленого гелію Т = 4,2 К в магнітних полях до 14 Тл. Визначено
особливості електрофізичних характеристик зразків за низьких температур в сильних магнітних полях до
14 Тл, що обумовлені впливом магнітної домішки в розбавлених магнетитиками напівпровідниках і
запропоновано викорастання таких кристалів в сенсорах фізичних величин (температура, магнітне поле,
деформація).
Ключові с
Посилання
[1]. A.A. Barlian , S.J. Park , V. Mukundan , B.L. Pruitt, Sens Actuators A, 134 (2007) 77–87.
[2]. A. Druzhinin, I. Maryamova, E. Lavitska, Y. Pankov, Sensors and Actuators: A. Physical, 68(1-3) (1998) 229-
233.
[3]. A. Fert, Thin Solid Films, 517, (2008) 2-5.
[4]. I. Zutic, J. Fabian, and S. Das Sarma, Rev. Mod. Phys., 76 (2004) 323.
[5]. D. Sanchez, C. Gould, G. Schmidt and L. W. Molenkamp, IEEE Trans. Electron Devices, 54 (2007) 984 – 990.
[6]. H. W. Wu, C. J. Tsai, and L. J. Chen, Appl.Phys. Let., 90 (2007) 043121.
[7]. E. Durgun, D. Cakir, N. Akman, and S. Ciraci, Phys. Rev. Lett., 99(25) (2007) 256806.
[8]. A. Kamra, B. Ghosh and T. K. Ghosh, J. Appl. Phys., 108 (2010) 054505.
[9]. A. Kaminski, S. Das Sarma, Phys. Rev. B, 68 (2003) 235210.
Electrical Conductivity and Magnetoresistance of Silicon Microstructures…
253
[10]. A. Kaminski, S. Das Sarma, Phys. Rev. Lett., 88 (2002) 247202.
[11]. A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, S. Nichkalo, R. Koretskyy, Iu. Kogut, Phys. Status Solidi A, 211(2)
(2014) 504–508.
[12]. S. Yatsukhnenko et al., Nanoscale Research Letters, 78(12), (2017) 1-7.
[13]. Liang Wei-Hua, Ding Xue-Cheng, Chu Li-Zhi, Deng Ze-Chao, Guo Jian-Xin, Wu Zhuan-Hua, Wang YingLong, Acta Phys. Sin., 59(11) (2010) 8071-8077.
[14]. A.A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, Iu. R. Kogut, S. I. Nichkalo, J. K. Warchulska, Journal of
Nanoscience and Nanotechnology, 12 (2012) 8690–8693.
[15]. Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Yuriy Khoverko, Sergij Yatsukhnenko, Journal of Nano Research, 39
(2016) 43–54.
[16]. A.A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, N. S. Liakh-Kaguj and Iu. R. Kogut, Materials Science in
Semiconductor Processing, 14(1) (2011) 18–22.
[17]. A.A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, K. Rogacki et al, Journal of Magnetism and Magnetic
Materials, 393 (2015) 310–315.
[18]. A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, R. Koretskii, Materials Science in Semiconductor Processing, 40
(2015) 766–771.
[19]. S. Das Sarma, E. H. Hwang, A. Kaminski, Phys. Rev. B, 67 (2003) 155201.
[20]. Antonio Ferreira da Silva, Alexandre Levine and Zahra Sadre Momtaz, Henri Boudinovm, Bo E. Sernelius,
Physical Review B, 91 (2015) 214414.
[21]. A.I. Veygner, A.G. Zabrodski, T.V. Tysnek, Semiconductors, 34(7) (2000) 774–782.
[2]. A. Druzhinin, I. Maryamova, E. Lavitska, Y. Pankov, Sensors and Actuators: A. Physical, 68(1-3) (1998) 229-
233.
[3]. A. Fert, Thin Solid Films, 517, (2008) 2-5.
[4]. I. Zutic, J. Fabian, and S. Das Sarma, Rev. Mod. Phys., 76 (2004) 323.
[5]. D. Sanchez, C. Gould, G. Schmidt and L. W. Molenkamp, IEEE Trans. Electron Devices, 54 (2007) 984 – 990.
[6]. H. W. Wu, C. J. Tsai, and L. J. Chen, Appl.Phys. Let., 90 (2007) 043121.
[7]. E. Durgun, D. Cakir, N. Akman, and S. Ciraci, Phys. Rev. Lett., 99(25) (2007) 256806.
[8]. A. Kamra, B. Ghosh and T. K. Ghosh, J. Appl. Phys., 108 (2010) 054505.
[9]. A. Kaminski, S. Das Sarma, Phys. Rev. B, 68 (2003) 235210.
Electrical Conductivity and Magnetoresistance of Silicon Microstructures…
253
[10]. A. Kaminski, S. Das Sarma, Phys. Rev. Lett., 88 (2002) 247202.
[11]. A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, S. Nichkalo, R. Koretskyy, Iu. Kogut, Phys. Status Solidi A, 211(2)
(2014) 504–508.
[12]. S. Yatsukhnenko et al., Nanoscale Research Letters, 78(12), (2017) 1-7.
[13]. Liang Wei-Hua, Ding Xue-Cheng, Chu Li-Zhi, Deng Ze-Chao, Guo Jian-Xin, Wu Zhuan-Hua, Wang YingLong, Acta Phys. Sin., 59(11) (2010) 8071-8077.
[14]. A.A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, Iu. R. Kogut, S. I. Nichkalo, J. K. Warchulska, Journal of
Nanoscience and Nanotechnology, 12 (2012) 8690–8693.
[15]. Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Yuriy Khoverko, Sergij Yatsukhnenko, Journal of Nano Research, 39
(2016) 43–54.
[16]. A.A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, N. S. Liakh-Kaguj and Iu. R. Kogut, Materials Science in
Semiconductor Processing, 14(1) (2011) 18–22.
[17]. A.A. Druzhinin, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, K. Rogacki et al, Journal of Magnetism and Magnetic
Materials, 393 (2015) 310–315.
[18]. A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Y. Khoverko, R. Koretskii, Materials Science in Semiconductor Processing, 40
(2015) 766–771.
[19]. S. Das Sarma, E. H. Hwang, A. Kaminski, Phys. Rev. B, 67 (2003) 155201.
[20]. Antonio Ferreira da Silva, Alexandre Levine and Zahra Sadre Momtaz, Henri Boudinovm, Bo E. Sernelius,
Physical Review B, 91 (2015) 214414.
[21]. A.I. Veygner, A.G. Zabrodski, T.V. Tysnek, Semiconductors, 34(7) (2000) 774–782.
##submission.downloads##
Опубліковано
2019-10-04
Як цитувати
Ховерко, Ю., & Щербань, Н. (2019). Електропровідність та магнетоопір мікроструктур кремнію за низьких температур в околі переходу метал-діелектрик. Фізика і хімія твердого тіла, 19(3), 246–253. https://doi.org/10.15330/pcss.19.3.246-253
Номер
Розділ
Наукові статті
