Важливі теплові і кінетичні властивості кристалів та їх розрахунки за допомогою потенціалів Гіббса
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.133-138Ключові слова:
потенціал Гіббса, хімічний потенціал, ентропія системи, рівняння нейтральності.Анотація
В даній роботі розраховані важливі теплові і кінетичні характеристики кристалів. Показано, що в стані термодинамічної рівноваги теплові властивості кристалів аддитивно складаються із теплових властивостей кристалічної ґратки і газу вільних носіїв зарядів в кристалі. Ці теплоти повністю описуються відповідними потенціалами Гіббса.У роботі також показано, що коли в провідному кристалі створити електричне поле з напруженістю E, та градієнт температури ΔrT і помістити цей кристал в магнітне поле з вектором індукції B, то в ньому виникають процеси перенесення електрики і теплоти, які описуються відомими узагальненими рівняннями електропровідності і теплопровідності. Тензори і скалярні коефіцієнти, які входять в склад цих рівнянь, це–кінетичні властивості кристалів. Вони описують природу їх актуальних властивостей і мають широке прагматичне застосування в сучасній твердотілій електроніці.
Посилання
J.S. Budjak, Physics and Chemistry of Solid State 18(1), 7 (2017).
Ya.S. Budzhak, T. Waclawski, Physics and Chemistry of Solid State19(2), 134 (2018).
J. Budjak, V. Chaban, Energetic and Kinetic Properties of Semiconductors Crystals (ProstirM, Lviv, 2017).
Ya.S. Budzhak, A.O. Druzhinin, T.K. Waclawski, Modern Statistical Methods of Investigations of Properties of Crystals as Micro- and Nanoelectronics Materials (Publishing House of Lviv Polytechnic, Lviv, 2018).
Ya.S. Budzhak, L.O. Vasilechko, Foundations of statistical theory of thermal and kinetic properties of semiconductor crystals (Liga-Pres, Lviv, 2016).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
