Моделювання структурних та енергетичних параметрів напівпровідника р-Er1-xScxNiSb

Автор(и)

  • Ю. Стадник Львівський національний університет ім. Ф. Франка
  • В.А. Ромака Національний університет "Львівська політехніка"
  • А. Горинь Львівський національний університет ім. І. Франка
  • В.В. Ромака Технічний університет Дрездену
  • Л. Ромака Львівський національний університет ім. І. Франка
  • П. Клизуб Львівський національний університет ім. І. Франка
  • В. Пашкевич Національний університет "Львівська політехніка"
  • П. Горпенюк Національний університет "Львівська політехніка"

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.22.3.509-515

Ключові слова:

напівпровідник, електропровідність, коефіцієнт термо-ерс, рівень Фермі

Анотація

Моделюванням зміни значень вільної енергії ΔG(х) (потенціал Гельмгольца) встановлено енергетичну доцільність існування твердого розчину заміщення Er1-xScxNiSb до концентрації х≈0.10. За більших концентрацій Sc, х>0.10, має місце розшарування (спіноїдальний розпад фази). Показано, що у структурі напівпровідника р-ErNiSb присутні вакансії у позиціях 4а та 4с атомів Er та Ni відповідно, генеруючи структурні дефекти акцепторної природи. Число вакансій у позиції 4a є вдвічі меншою, ніж у позиції 4c. Дана пропорція збережена і для р-Er1-xScxNiSb. Легування р-ErNiSb домішкою Sc шляхом заміщення атомів Er супроводжується також зайняттям ними вакансій у позиції 4a. При цьому атоми Ni займають вакансії у позиції 4c, що може супроводжуватися процесом упорядкування структури р-Er1-xScxNiSb. Зайняття атомами Sc та Ni вакансій приводить до збільшення концентрації вільних електронів, росту ступеню компенсації напівпровідника, що змінює положення рівня Фермі  та механізми електропровідності.

Посилання

I. Karla, J. Pierre, R.V. Skolozdra, J. Alloys Compd. 265, 42 (1998); https://doi.org/10.1016/S0925-8388(97)00419-2.

D. Kaczorovskii, V.V. Romaka, L. Romaka, A. Нoryn, V. Kovbasyuk, Yu. Stadnyk, XV Intern. Conf. Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems, May 11-16, Ivano-Frankivsk, Ukraine (2015). P. 360.

V.V. Romaka, L. Romaka, A. Horyn, P. Rogl, Yu. Stadnyk, N. Melnychenko, M. Orlovskyy, V. Krayovskyy, J. Sol. St. Chem, 239, 145 (2016); https://doi.org/10.1016/j.jssc.2016.04.029).

V.V. Romaka, L. Romaka, A. Horyn, Yu. Stadnyk, J. Alloys Compd. 855, 157334 (2021); https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.157334.

A.V. Morozkin V.N. Nikiforov, J. Alloys Compd. 400, 63 (2005); https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2005.04.012.

V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, V.Ya. Krayovskyy, L.P. Romaka, O.P. Guk, V.V. Romaka, M.M. Mykyychuk, A.M. Horyn, The latest heat-sensitive materials and temperature transducers (Lviv Polytechnic Publishing House, Lviv, 2020). ISBN 978-966-941-478-6. [in Ukrainian].

V.V. Romaka, L.P. Romaka, V.Ya. Krayovskyy, Yu.V. Stadnyk, Stannides of rare earths and transition metals (Lviv Polytechnic Publishing House, Lviv, 2015). ISBN 978-617-607-816-6. [in Ukrainian].

V. Krayovskyy, V. Pashkevych, A. Horpenuk, V.A. Romaka, Yu. Stadnyk, L. Romaka, А. Horyn, V. Romaka, Measuring equipment and metrology 82(2), 16 (2021).

I. Wolanska, K. Synoradzki, K. Ciesielski, K. Zaleski, P. Skokowski, D. Kaczorowski, Mater. Chem. Phys. 227, 29 (2019); https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2019.01.056.

K. Synoradzki, K. Ciesielski, I. Veremchuk, H. Borrmann, P. Skokowski, D. Szymanski, Y. Grin, D. Kaczorowski, Materials 12, 1723 (2019); https://doi.org/10.3390/ma12101723.

M. Schruter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G. Reddy, Phys. Rev. 52, 188 (1995).

V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams, Calculated electronic properties of metals (NY, Pergamon Press, 1978).

T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal, Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7 378-381, 118 (2001); https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.378-381.118.

L. Zeng, L. Nong, J. Li, Y. Zhuang, J. Hao, Powder Diffr. 11, 40 (1996); https://doi.org/10.1017/S0885715600008897.

##submission.downloads##

Опубліковано

2021-09-07

Як цитувати

Стадник, Ю., Ромака, В., Горинь, А., Ромака, В., Ромака, Л., Клизуб, П., … Горпенюк, П. (2021). Моделювання структурних та енергетичних параметрів напівпровідника р-Er1-xScxNiSb. Фізика і хімія твердого тіла, 22(3), 509–515. https://doi.org/10.15330/pcss.22.3.509-515

Номер

Розділ

Фізико-математичні науки

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4