The dependence between the structural-morphological features mixes 0.8SiO2/0.2Al2O3 from the time of mechanicall treatment

Ю.В. Яворський; Я.В. Зауличний; М.В. Карпець; О.І. Дудка; А.Б. Груб'як; В.В. Мокляк

doi:10.15330/pcss.22.3.516-521

Автор(и)

Ю.В. Яворський Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені І. Сікорського"
Я.В. Зауличний Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені І. Сікорського"
М.В. Карпець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені І. Сікорського"
О.І. Дудка Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені І. Сікорського"
А.Б. Груб'як Інститут металофізики імені Г.В. Курдюмова НАН України
В.В. Мокляк Інститут металофізики імені Г.В. Курдюмова НАН України

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.22.3.516-521

Ключові слова:

ударно-вібраційна обробка, морфологія, рентгеноструктурний аналіз, розподіл валентних електронів, область когерентного розсіювання, спектр

Анотація

У роботі висвітлено взаємозв'язок між змінами структурно-морфологічних особливостей, електронною структурою та тривалістю ударно-вібраційної обробки. Скануюча електронна мікроскопія використовувалась для виявлення зміни морфологічних особливостей нанорозмірних порошків. З порівняння СЕМ-зображень суміші 0,8SiO₂ / 0,2Al₂О₃ до та після ударно-вібраційної обробки встановлено, що завдяки обробці агломерати вихідних компонентів одночасно подрібнюються з ідеальним змішуванням частинок оксидів між собою та утворенням нових агломератів з більш щільною структурою. Збільшення часу обробки призводить до збільшення щільності нанокомпозиту. Вплив часу механічної обробки на мікробракері (МБТ) на структурні параметри та фазовий склад сумішей діоксиду кремнію та титану вивчали методом рентгеноструктурного аналізу. Встановлена агломерація супроводжується зміною областей когерентного розсіювання кристалічного Al₂О₃ при відсутності зміни структурних параметрів компонентів. Ультрам'яка рентгенівсько-емісійна спектроскопія використовувалась для вивчення розподілу Op-, Sisd- та Alsd-валентних електронів у порошкових сумішах 0.8SiO₂ / 0.2Al₂О₃ з різним часом механічної обробки. Виявлено збільшення атомних зарядів, яке можна пояснити перенесенням електронів від атомів Si та Al до атомів O в розщеплених Op_π-зв’язуючих станах.

Посилання

Hui Xia, Michael Z. Hu, Ying Shirley Meng, Jianping Xie, Xiangyu Zhao, Joral of Nanomaterials, 2014 (2014); https://doi.org/10.1155/2014/675859.

Nan Yan, Fang Wang, Hao Zhong , Scientific Reports. 3, 1568 (2013); https://doi.org/10.1038/srep01568.

V. Kotsyubynsky, B. Ostafiychuk, V. Moklyak, A. Hrubiak, Solid State Phenomena 230, 120 (2015); https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.230.120.

A.B. Hrubiak, V.O. Kotsyubynsky, V.V. Moklyak, B.K. Ostafiychuk, P.I. Kolkovsky, S.V. Fedorchenko, B.I. Rachiy, Molecular Crystals and Liquid Crystals 670, 97 (2018); https://doi.org/10.1080/15421406.2018.1542070.

I.M. Budzulyak, O.M. Khemii, O.V. Morushko, D.I. Popovych, Y. Starchuk, L. Yablon, SElectrochemical Properties of β-Hydroxide Nickel/Carbon Composites 17, 689 (2019).

Y.V. Zaulychnyy, Y.M. Solonin, O.O. Foya, O.Y. Khyzhun, O. Vasylkiv, Metallophysics And Advanced Technologies 30, 169 (2008).

Ya.V. Zaulychnyy, V.M. Gun’ko, Y.V. Yavorskyi, I.M. Gasyuk, N. Wanderka, O.I. Dudka, Applied Surface Science 494, 1013 (2019); https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.07.206.

Yu.V. Yavorsky, Ya.V. Zaulichny, V.M. Gunko, M.V. Karpets, Journal Of Nano- And Electronic Physics 10, 06005 (2018); https://doi.org/10.21272/jnep.10(6).06005.

Yu.V. Yavorsky, Ya.V. Zaulichny, V.M. Gunko, M.V. Karpets, V.V. Mokliak, A.B. Hrubiak, Journal Of Nano- And Electronic Physics 11, 06012 (2019); https://doi.org/10.21272/jnep.11(6).06012.

Y.V. Zaulychnyy, V.M. Gun’ko, Y.V. Yavorskyi, V.I. Zarko, S.S. Piotrowska, V.M., Mishchenko, Metallophysics And Advanced Technologies 37, 1063 (2015).

V.M. Gun’ko, V.V. Turov, V.I. Zarko, O.V. Goncharuk, E.M. Pahlov, J. Shubiszewska-Zieba, Y.P. Blitz, Advances in Colloid and Interface Science 235, 108 (2016); https://doi.org/10.1016/j.cis.2016.06.003.