Діелектричні, сегнетоелектричні та оптичні властивості (Bi0,5Na0,5)0,94Ba0,06TiO3, легованого Na та Nb
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.22.4.607-613Ключові слова:
BaTiO3, Bi0.5Na0.5TiO3, діелектричні властивості, фероелектричні властивості, густина енергіїАнотація
Керамічний [(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06]1-xNaxTi1-xNbxO3 (x = 0.05 та 0.10) отримано відомим способом твердотільного спікання. Рентгенодифракційний аналіз зразків вказав на формування кубічної структури. Подібна структура спостерігається із раманівських спектрів досліджуваних зразків. Оптична ширина забороненої зони зразків дещо зменшувалася від 3,08 до 3,06 еВ при додаванні рівнів Na+ та Nb5+. Додавання Na+ і Nb5+ змістило Tm у бік кімнатної температури. Зразок із x = 0,05 мав стабільну відносну проникність ɛr(mid) = 3914 у діапазоні температур 79 - 350 ℃ і tand < 0,025 (104 - 279 ℃). Густина енергії зразка із x = 0,05 становила 0,4 Дж/см3, яка зменшилась до 0,32 Дж/см3 при накладанні електричного поля 50 кВ/см з подальшим заміщенням Na+ і Nb5+ (тобто x = 0,10).
Посилання
R.H. Havemann, B.E. Gnade, C.-C. Cho, Porous dielectric material with a passivation layer for electronics applications (Google Patents, 1997).
R. Muhammad, Y. Iqbal, I.M. Reaney, J. Am. Ceram. Soc. 99, 2089 (2016); https://doi.org/10.1111/jace.14212.
R. Muhammad, Y. Iqbal, Ceram. Int. 42, 19413 (2016); https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2016.08.152.
S.-E. Park, T.R. Shrout, J. Appl. Phys. 82, 1804 (1997); https://doi.org/10.1063/1.365983.
K. Yao, S. Chen, M. Rahimabady, M.S. Mirshekarloo, S. Yu, F.E.H. Tay, T. Sritharan, L. Lu, IEEE Trans. Sonics Ultrason. 58, 1968 (2011); https://doi.org/10.1109/TUFFC.2011.2039.
B. Ma, M. Narayanan, S. Tong, U. Balachandran, J. Mater. Sci. 45, 151 (2010); https://doi.org/10.1007/s10853-009-3910-0.
N. Zhang, L. Li, J. Chen, J. Yu, Mater. Lett. 138, 228 (2015); https://doi.org/10.1016/j.matlet.2014.09.123.
Y. Li, W. Chen, Q. Xu, J. Zhou, X. Gu, Mater. Lett. 59, 1361 (2005); https://doi.org/10.1016/j.matlet.2004.12.041.
V. Shuvaeva, D. Zekria, A. Glazer, Q. Jiang, S. Weber, P. Bhattacharya, P. Thomas, Phys. Rev. B 71, 174114 (2005); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.174114.
R. Muhammad, A. Khesro, M. Uzair, J. Electron. Mater. 45, 4083 (2016); https://doi.org/10.1007/s11664-016-4589-z.
A. Zeb, S. Milne, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 26, 9243 (2015); https://doi.org/10.1007/s10854-015-3707-7.
V.R. Mudinepalli, N.R. Reddy, W.-C. Lin, K.S. Kumar, B. Murty, Adv. Mater. Lett. 6, 27 (2015); https://doi.org/10.1007/s12648-015-0743-3.
S.T. Zhang, A.B. Kounga, E. Aulbach, Y. Deng, J. Am. Ceram. Soc. 91, 3950 (2008); https://doi.org/10.1111/j.1551-2916.2008.02778.x.
M. Isaza-Ruiz, J. Henon, O. Durand-Panteix, G. Etchegoyen, F. Rossignol, P. Marchet, Ceram. Int. 42, 14635 (2016); https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2016.06.084.
X.S. Qiao, X.M. Chen, H.L. Lian, W.T. Chen, J.P. Zhou, P. Liu, J. Am. Ceram. Soc. 99, 198 (2016); https://doi.org/10.1111/jace.13941.
X. Lu, J. Xu, L. Yang, C. Zhou, Y. Zhao, C. Yuan, Q. Li, G. Chen, H. Wang, J. Materiomics 2, 87 (2016); https://doi.org/10.1016/j.jmat.2016.02.001.
F. Gao, X. Dong, C. Mao, H. Zhang, F. Cao, G. Wang, J. Appl. Phys. 110, 094109 (2011); https://doi.org/10.1063/1.3660283.
Q. Xu, H. Liu, Z. Song, X. Huang, A. Ullah, L. Zhang, J. Xie, H. Hao, M. Cao, Z. Yao, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 27, 322 (2016); https://doi.org/10.1007/s10854-015-3757-x.
R. Muhammad, J. Camargo, A. Prado, M.S. Castro, Mater. Lett. 233, 258 (2018); https://doi.org/10.1016/j.matlet.2018.09.022.
R. Muhammad, A. Ali, J. Camargo, M.S. Castro, ChemistrySelect. 5, 3730 (2020); https://doi.org/10.1002/slct.202000243.
Q. Xu, T. Li, H. Hao, S. Zhang, Z. Wang, M. Cao, Z. Yao, H. Liu, J. Eur. Ceram. Soc. 35, 545 (2015); https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2014.09.003.
R.D. Shannon, Acta Crystallogr. A 32, 751 (1976); https://doi.org/10.1107/S0567739476001551.
Q. Xu, Z. Song, W. Tang, H. Hao, L. Zhang, M. Appiah, M. Cao, Z. Yao, Z. He, H. Liu, J. Am. Ceram. Soc. 98, 3119 (2015); https://doi.org/10.1111/jace.13693.
M.K. Niranjan, T. Karthik, S. Asthana, J. Pan, U.V. Waghmare, J. Appl. Phys. 113, 194106 (2013); https://doi.org/10.1063/1.4804940.
J. Hao, B. Shen, J. Zhai, C. Liu, X. Li, X. Gao, J. Appl. Phys. 113, 114106 (2013); https://doi.org/10.1063/1.4795511.
R. Muhammad, A. Khesro, J. Am. Ceram. Soc. 100, 1091 (2017); https://doi.org/10.1111/jace.14684.
D. Tenne, A. Soukiassian, M. Zhu, A. Clark, X. Xi, H. Choosuwan, Q. He, R. Guo, A. Bhalla, Phys. Rev. B 67, 012302 (2003); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.67.012302.
R.D. Shannon, J. Appl. Phys. 73, 348 (1993); https://doi.org/10.1063/1.353856.
J. Suchanicz, I. Jankowska-Sumara, T.V. Kruzina, J. Electroceram. 27, 45 (2011); https://doi.org/10.1007/s10832-011-9648-5.
I. Siny, E. Husson, J. Beny, S. Lushnikov, E. Rogacheva, P. Syrnikov, Ferroelectrics 248, 57 (2000); https://doi.org/10.1080/00150190008223669.
M. Zannen, A. Lahmar, M. Dietze, H. Khemakhem, A. Kabadou, M. Es-Souni, Mater. Chem. Phys. 134, 829 (2012); https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2012.03.076.