Low-temperature deposition of Cd1-xZnxTe layers by laser sputtering and their physical  properties

Ю.С. Громовий; Л.В. Рашковецький; С.В. Пляцко

doi:10.15330/pcss.23.1.154-158

Автор(и)

Ю.С. Громовий Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ
Л.В. Рашковецький Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ
С.В. Пляцко Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.23.1.154-158

Ключові слова:

пасивуючі покриття, телурид кадмію, тонкі плівки, лазерна епітаксія, низькотемпературна фотолюмінесценція

Анотація

Плівки CdZnTe, вирощені методом модульованого ІЧ-лазерного осадження при температурі підкладок Т_sub ≤ 120⁰C з відповідних джерел на орієнтованих монокристалічних підкладках Si, GaAs, InSb в однакових технологічних умовах і в одному технологічному циклі. Досліджувалися морфологія поверхні та спектри низькотемпературної фотолюмінесценції (Т=4.2К) в діапазоні енергій від 1,70 до 1,30 еВ. Спектри люмінесценції проаналізовано і представлено з трьох різних енергетичних областей: від 1,70 еВ до 1,60 еВ з емісією екситонів, від 1,60 еВ до 1,55 еВ переходами донор-акцептор (DAP) та областю А –центрів від 1,55 до 1,40 еВ. Наявність в спектрах низькотемпературної фотолюмінесценції смуг вільного екситону, екситонів на нейтральному акцепторі та нейтральному донорі і їх фононних повторень на плівках CdZnTe/InSb засвідчує високу структурну досконалість, притаманну матеріалам детекторної якості, зі складом, відповідним джерелу CdZnTe.

Посилання

S. Chander, M.S. Dhaka, Thin Solid Films 625, 131 (2017); https://doi.org/10.1016/j.tsf.2017.01.052.

S. Chander, A. Purohit, S.L. Patel, M.S. Dhaka, Phys. E. 89, 29 (2017); https://doi.org/10.1016/j.physe.2017.02.002.

S. Chander, M.S. Dhaka, Sol. Energy 150, 577 (2017); https://doi.org/10.1016/j.solener.2017.05.013.

G.Q. Zha, Y. Lin, D.M. Zeng, T.T. Tan, W.Q. Jie, Appl. Phys. Lett. 106, 062103 (2015); http://dx.doi.org/10.1063/1.4907973.

H.Q. Le, J.L. Ducote, S. Molloi, Med. Phys. 37, 1225 (2010); http://dx.doi.org/10.1118/1.3312435.

C. Li, N. Murase, Chem. Lett., 34(1), 92 (2005); https://doi.org/10.1246/cl.2005.92.

X. Zhao et al., Appl. Phys. Lett. 105(25), 252101 (2014); https://doi.org/10.1063/1.4904993.

C.L. Littler, B.P. Gorman, D.F. Weirauch, P.K. Liao, H.F. Schaake, J. Electron. Mater. 34, 768 (2005); https://doi.org/10.1007/s11664-005-0018-4.

M. Basol, V.K. Kapur, M.L. Ferris, J. Appl. Phys. 66, 1816 (1989); https://doi.org/10.1063/1.344353.

S.N. Alamri, Phys. Status Solidi (a) 200, 352 (2003); https://doi.org/10.1002/pssa.200306691.

Aydinli, A. Compaan, G. Contreras-Puente, A. Mason, Solid State Commun. 80, 465 (1991); https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90051-V.

J. Takahashi, K. Mochizuki, K. Hitomi, T. Shoji, J. Cryst. Growth 269, 419 (2004); https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.05.054.

H. Zhou, D. Zeng, S. Pan, Instrum. Methods Phys. Res. Sect. A: Accel. Spectrom. etect. Assoc. Equip. 698, 81 (2013); https://doi.org/10.1016/j.nima.2012.09.024.

Q. Huda; M.M. Aliyu; M.A. Islam; M.S. Hossain; M.M. Alam; M.R. Karim; M.A.M. Bhuiyan; K. Sopian; N. Amin, (IEEE 39th Photovoltaic Specialists Conference, (PVSC), 2013); https://doi.org/10.1109/PVSC.2013.6744242.

E. Yilmaz; R. Turan; A. Aktağ; Ali Akgöl, 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (2011); https://doi.org/10.1109/PVSC.2011.6186216.