Вплив дислокаційної структури на електричні та спектроскопічні властивості гетероструктур MoOx/p-CdTe/MoOx

Автор(и)

  • І.М. Фодчук Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • А.Р. Кузьмін Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • О.Л. Маслянчук Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • І.І. Гуцуляк Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • М.С. Солодкий Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • Ю.Т. Роман Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • М.М. Солован Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • О.Й. Гудименко Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.23.1.144-149

Ключові слова:

телурид кадмію, дефектна структура, високороздільна Х-променева дифрактометрія, гетероструктри, детектори Х- та γ- випромінювання

Анотація

Методами високороздільної Х-хвильової дифрактометрії досліджена дефектна структура монокристалів p-CdTe:Cl та на їх основі гетероструктур MoOx/p- CdTe/MoOx. Апробовано різні моделі дислокаційних систем, за якими із побудови Вільямсона-Холла оцінено густини дислокацій. Відзначено, що значні деформації невідповідності в перехідному шарі негативно впливають на вольт-амперні характеристики гетероструктур.

Посилання

J.F. Butler, F.E Doty, C. Lingren and B. Apotovsky, Presented at the 2nd Topical Meeting on Industrial Radiation and Radioisotope Measurement Applications (Raleigh, September 8-11, 1992); https://doi.org/10.1016/0168-9002(96)00219-7.

S. Abbaspour, B. Mahmoudian, and J.P. Islamian, World J Nucl Med. 16(2), 101 (2017); https://doi.org/10.4103/1450-1147.203079.

A. Cola and I. Farella, Applied physics letters 105, 203501 (2014); https://doi.org/10.1063/1.4902188.

O. Maslyanchuk, V. Kulchynsky, M. Solovan, V. Gnatyuk, C. Potiriadis, I. Kaissas, V. Brus, Phys. Stat. Sol. C 14(3–4), 1600232 (2017); http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201600232.

O. Maslyanchuk, M. Solovan, V. Brus, P. Maryanchuk, E. Maistruk, I. Fodchuk, V. Gnatyuk, T. Aoki, C. Lambropoulos, K. Potiriadis, IEEE Trans. Nucl. Sci. 65(7), 1365 (2018); http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2018.2838766.

L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.M. Sklyarchuk, Semiconductors 39(6), 722 (2005); https://doi.org/10.1134/1.1944866.

O.L. Maslyanchuk, M.M. Solovan, V.V. Brus, V.V. Kulchynsky, P.D. Maryanchuk, I.M. Fodchuk, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, C. Potiriadis, Y. Kaissas, IEEE Trans. Nucl. Sci. 64(5), 1168 (2017); http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2017.2694701.

O.L. Maslyanchuk, M.M. Solovan, E.V. Maistruk, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, Proc. SPIE, 10612 (2018); https://doi.org/10.1117/12.2305085.

J. Luschitz, B. Siepchen, J. Schaffner, K. Lakus-Wollny, G. Haindl, A. Klein, W. Jaegermann, Thin Solid Films 517(7), 2125 (2009); https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.10.075.

M.D. Borcha, M.S. Solodkyi, S.V. Balovsyak, V.M. Tkach, I.I. Hutsuliak, A.R. Kuzmin, О.О. Tkach, V.P. Kladko, O.Y. Gudymenko, О.І. Liubchenko, Z. Świątek, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 22(4), 381 (2019); https://doi.org/10.15407/spqeo22.04.381.

V.V. Brus, O.L. Maslyanchuk, M. M. Solovan, P.D. Maryanchuk, I.M. Fodchuk, V.A. Gnatyuk, N.D. Vakhnyak, S.V. Melnychuk, T. Aoki, Scientific Reports 9, 1065 (2019); https://doi.org/10.1038/s41598-018-37637-w.

M.A. Lampert, P. Mark, Current Injection in Solids, Academic Press (New York, 1970).

A. Zoul, E. Klier, Czechoslovak J. Phys. B 27(7), 789 (1977); https://doi.org/10.1007/BF01589320.

I. Fodchuk, A. Kuzmin, I. Hutsuliak, M. Solodkyi, V. Dovganyuk, O. Maslyanchuk, Yu. Roman, R. Zaplitnyy, O. Gudymenko, V. Kladko, V. Mоlоdkin, V. Lizunov, Proc. SPIE 113691H (2020); https://doi.org/10.1117/12.2553970.

X. Chut, B.K. Tanner, Semicond. Sci. Tech. 2, 765 (1987); https://doi.org/10.1088/0268-1242/2/12/002.

P.B. Hirt, Mosaic structure (Metallurgy, Moscow, 1960).

E. Schafler, M. Zehetbauer, and T. Ungar, Materials Science and Engineering. 319-321, 220 (2001); https://doi.org/10.1016/S0921-5093(01)00979-0.

E. Metzger, R. Hopler, and E. Born, Philosophical Magazine. 77(4), 1013 (1998); https://doi.org/10.1080/01418619808221225.

I.M. Fodchuk, V.V. Dovganiuk, I.I. Gutsuliak, I.P. Yaremiy, A.Y. Bonchyk, G.V. Savytsky, I.M. Syvorotka, O.G. Skakunova, Metallofizika i Noveishie Tekhnologii 35(9), 1209 (2013).

M.D. Borcha, M.S. Solodkyi, S.V. Balovsyak, V.M. Tkach, I.I. Hutsuliak, A.R. Kuzmin, О.О. Tkach, V.P. Kladko, O.Y. Gudymenko, О.І. Liubchenko, Z. Świątek, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 22(4), 381 (2019); https://doi.org/10.15407/spqeo22.04.381.

##submission.downloads##

Опубліковано

2022-03-19

Як цитувати

Фодчук, І., Кузьмін, А., Маслянчук, О., Гуцуляк, І., Солодкий, М., Роман, Ю., … Гудименко, О. (2022). Вплив дислокаційної структури на електричні та спектроскопічні властивості гетероструктур MoOx/p-CdTe/MoOx. Фізика і хімія твердого тіла, 23(1), 144–149. https://doi.org/10.15330/pcss.23.1.144-149

Номер

Розділ

Фізико-математичні науки