Епітаксіальні плівки SiGe з дислокаціями для пам’яті з можливістю перемикання: точні розрахунки з перших принципів
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.3.247-256Ключові слова:
резистивна пам’ять довільного доступу, функціонал електронної густини, псевдопотенціал із перших принципів, електронна структура, густина електронних станівАнотація
Методами теорії функціоналу електронної густини і псевдопотенціалу із перших принципів отримані характеристики електронної підсистеми робочого шару RRAM (Resistive Random Access Memory), що побудований на основі епітаксіальних плівок Si0,9Ge0,1 з дислокаціями та впровадженими в них атомами срібла. Розраховано просторові розподіли густини валентних електронів та їх перерізи в межах комірки, розподіл густини електронних станів, електричні заряди в околі остова атома кремнію при різних атомних оточеннях. Досліджено, як зміни в електронній підсистемі досліджуваних об’єктів впливають на зміну їх властивостей від непровідних до провідних.
Посилання
Shinhyun Choi et al., Nature Materials 17, 335 (2018).
Y. Burgt et al., Nat. Mater. 16, 414 (2017).
Z. Wang et al., Nat. Mater. 16, 101 (2016).
K.-H. Kim et al., Nano Lett. 12, 389 (2012).
Y. Yang et al., Nat. Commun. 5, 377 (2014).
S.H. Jo, K.H. Kim, W. Lu, Nano Lett. 9, 870 (2009).
Y. Yang et al., Nat. Commun. 3, 732 (2012).
K. Krishnan, T. Tsuruoka, C. Mannequin, & M. Aono, Adv. Mater. 28, 640 (2016).
D.C. Houghton, J. Appl. Phys. 70, 2136 (1991).
F. Rollert, N.A. Stolwijk, & H. Mehrer, J. Phys. D 20, 1148 (1987).
N. Yakovkin, P.A. Dowben, Surface Review and Letters 14(3), 481 (2007).
E. S. Kryachko, E.V. Ludeña, Physics Reports 544, 123 (2014).
Ab initio calculation [E-resource] – Mode access to the resource: http://sites.google.com/a/kdpu.edu.ua/calculationphysics.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
