Коефіцієнт міжзонного поглинання світла надґраткою квантових точок InAs/GaxIn1-xAs при низьких температурах
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.18.2.151-157Ключові слова:
квантова точка, надґратка, електронні стани, коефіцієнт поглинанняАнотація
У роботі розглянуто надґраткову систему InAs/GaxIn1-xAs квантових точок малих розмірів (до 10 нм) кубічної форми. Для надграток різних вимірностей обчислено закони дисперсії для електронних та діркових підзон. Досліджено залежність коефіцієнта міжзонного поглинання від частоти світла, розмірів квантових точок та відстаней між ними. Показано, що вимірність надґратки впливає на форму смуг поглинання, збільшення відстані між квантовими точками спричиняє звуження піків поглинання для всіх трьох типів надґратки.
Посилання
P. Yu, M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties (Springer, Berlin, 2010).
R. Tsu, Superlattice to nanoelectronics (Oxford, Elsevier, 2010).
F. Kanouni, A. Brezini, N. Sekkel, A. Saidane, D. Chalabi, A. Mostefa,Journal of New Technology and Materials JNTM 01(00), 55 (2011).
В.А. Головацький, Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка 92, 9 (2000).
Н.В. Ткач, Ю.А. Сети, Физ. техн. полупр. 45, 387 (2011).
M.V. Tkach,Yu.O. Seti, O.M. Voitsekhivska, G.G. Zegrya, Rom. J. Phys. 57, 620 (2012).
V.I. Boichuk, I.V. Bilynskyi, O.A. Sokolnyk, I.O. Shakleina, Condensed Matter Physics 16(3) 33702: 1 (2013).
V.I. Boichuk, I.V. Bilynskyi, R.I. Pazyuk, Actual problems of semiconductor physics. VIII International School-Conference (Publishing House UKRPOL” Ltd., Drohobych,2013), p.7.
M.A. Cusack, P.R. Briddon, and M. Jaros, Phys. Rev., B 54, R2300 (1996).
C. Goffaux, V. Lousse, and J.P. Vigneron, Phys. Rev., B 62, 7133(2000).
Jianping Wang, Ming Gong, Guang-Can Guo, Lixin He,Journal of Physics: Condensed Matter. 24(47), 475302(12) (2012).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
