Вплив сильного легування інтерметалічного напівпровідника TiCoSb атомами Cr на структурні, кінетичні та енергетичні властивості

Автор(и)

  • Ю. Стадник Львівський національний університет імені Івана Франка, Львів, Україна
  • Л. Ромака Львівський національний університет імені Івана Франка, Львів, Україна
  • В.А. Ромака Національний університет "Львівська політехніка", Львів, Україна
  • А. Горинь Львівський національний університет імені Івана Франка, Львів, Україна
  • В.В. Ромака Інститут дослідження твердого тіла ім. Лейбніца, Дрезден, Німеччина
  • Т. Луковський Національний університет "Львівська політехніка", Львів, Україна
  • О. Поплавський Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, Івано-Франківськ, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.25.2.391-398

Ключові слова:

напівпровідник, електропровідність, коефіцієнт термо-ерс, рівень Фермі

Анотація

Досліджено структурні, електрокінетичні та енергетичні властивості напівпровідника TiСо1-xCrxSb, отриманого легуванням TiCoSb атомами Cr, уведеними у структуру шляхом заміщення у кристалографічній позиції 4c атомів Co. Показано, що у TiСо1-xCrxSb одночасно у різних співвідношеннях залежно від концентрації домішки генеруються структурні дефекти донорної та акцепторної природи. За концентрацій х≥0.02 провідність TiСо1-xCrxSb носить металічний характер, а внесок від дії механізмів розсіювання носіїв струму у значення електроопору є одного порядку зі змінами концентрації носіїв струму. Встановлено, що за всіх температур на ділянці концентрацій х=0–0.02 швидкість генерування донорів переважає швидкість генерування акцепторів, а за концентрацій х>0.02 навпаки, швидкість генерування акцепторів є більшою, ніж донорів. На це вказують додатні значення термо-ерс α(х,Т) TiСо1-xCrxSb за х>0.03.

Посилання

R. Marazza, R. Ferro, G. Rambaldi, Some phases in ternary alloys of titanium, zirconium, and hafnium, with a MgAgAs or AlCu2Mn type structure, J. Less-Common Met. 39, 341 (1975); https://doi.org/10.1016/0022-5088(75)90207-6.

V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, V.Ya. Krayovskyy, L.P. Romaka, O.P. Guk, V.V. Romaka, M.M. Mykyychuk, A.M. Horyn, The latest heat-sensitive materials and temperature transducers, Lviv Polytechnic Publishing House, Lviv (2020); https://opac.lpnu.ua/bib/1131184. [in Ukrainian].

L.I. Anatychuk, Thermoelements and thermoelectric devices. Reference book, Naukova dumka, Kyiv (1979). [in Russian].

B.I. Shklovskii and A.L. Efros, Electronic properties of doped semiconductors, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg (1984); https://doi.org/10.1007/978-3-662-02403-4.

V.A.Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.G. Akselrud, V.V. Romaka, D. Frushart, P. Rogl, V.N. Davydov, Yu.K. Gorelenko, Mechanism of local amorphization of a heavily doped Ti1-xVxCoSb intermetallic semiconductor, Semiconductors, 42(№7), 753 (2008); https://doi.org/10.1134/S1063782608070014.

Yu Stadnyk, V.V. Romaka, L. Romaka, L. Orovchik, A. Horyn, Synthesis, electrical transport, magnetic properties and electronic structure of Ti1-xScxCoSb semiconducting solid solution, J. Alloys Compd., 805, 840 (2019); https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.07.088.

V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, A.M. Horyn, I.M. Romaniv, V.Z. Pashkevych, A.Ya. Horpeniuk, Features of structural, energetic, electrokinetic investigation of energy and electrokinetic characteristics of thermoelectric material TiCo1-xMnxSb, J. Thermoelectricity, 3, 5 (2020); http://jt.inst.cv.ua/jt/jt_2020_03_en.pdf.

T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal, WinPLOTR: a windows tool for powder diffraction patterns analysis, Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7 378, 118 (2001); https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.378-381.118.

M. Schruter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy, First-principles investigations of atomic disorder effects on magnetic and structural instabilities in transition-metal alloys, Phys. Rev. B, 52, 188 (1995); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.52.188.

V. Moruzzi, J. Janak, A. Williams, Calculated Electronic Properties of Metals, Pergamon Press, NY (1978); https://doi.org/10.1016/B978-0-08-022705-4.50002-8.

N.F. Mott and E.A. Davis, Electronic processes in non-crystalline materials, Clarendon Press, Oxford (1979); https://doi.org/10.1002/crat.19720070420.

##submission.downloads##

Опубліковано

2024-06-26

Як цитувати

Стадник, Ю., Ромака, Л., Ромака, В., Горинь, А., Ромака, В., Луковський, Т., & Поплавський, О. (2024). Вплив сильного легування інтерметалічного напівпровідника TiCoSb атомами Cr на структурні, кінетичні та енергетичні властивості. Фізика і хімія твердого тіла, 25(2), 391–398. https://doi.org/10.15330/pcss.25.2.391-398

Номер

Розділ

Фізико-математичні науки