Вплив сильного легування інтерметалічного напівпровідника TiCoSb атомами Cr на структурні, кінетичні та енергетичні властивості
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.25.2.391-398Ключові слова:
напівпровідник, електропровідність, коефіцієнт термо-ерс, рівень ФерміАнотація
Досліджено структурні, електрокінетичні та енергетичні властивості напівпровідника TiСо1-xCrxSb, отриманого легуванням TiCoSb атомами Cr, уведеними у структуру шляхом заміщення у кристалографічній позиції 4c атомів Co. Показано, що у TiСо1-xCrxSb одночасно у різних співвідношеннях залежно від концентрації домішки генеруються структурні дефекти донорної та акцепторної природи. За концентрацій х≥0.02 провідність TiСо1-xCrxSb носить металічний характер, а внесок від дії механізмів розсіювання носіїв струму у значення електроопору є одного порядку зі змінами концентрації носіїв струму. Встановлено, що за всіх температур на ділянці концентрацій х=0–0.02 швидкість генерування донорів переважає швидкість генерування акцепторів, а за концентрацій х>0.02 навпаки, швидкість генерування акцепторів є більшою, ніж донорів. На це вказують додатні значення термо-ерс α(х,Т) TiСо1-xCrxSb за х>0.03.
Посилання
R. Marazza, R. Ferro, G. Rambaldi, Some phases in ternary alloys of titanium, zirconium, and hafnium, with a MgAgAs or AlCu2Mn type structure, J. Less-Common Met. 39, 341 (1975); https://doi.org/10.1016/0022-5088(75)90207-6.
V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, V.Ya. Krayovskyy, L.P. Romaka, O.P. Guk, V.V. Romaka, M.M. Mykyychuk, A.M. Horyn, The latest heat-sensitive materials and temperature transducers, Lviv Polytechnic Publishing House, Lviv (2020); https://opac.lpnu.ua/bib/1131184. [in Ukrainian].
L.I. Anatychuk, Thermoelements and thermoelectric devices. Reference book, Naukova dumka, Kyiv (1979). [in Russian].
B.I. Shklovskii and A.L. Efros, Electronic properties of doped semiconductors, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg (1984); https://doi.org/10.1007/978-3-662-02403-4.
V.A.Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.G. Akselrud, V.V. Romaka, D. Frushart, P. Rogl, V.N. Davydov, Yu.K. Gorelenko, Mechanism of local amorphization of a heavily doped Ti1-xVxCoSb intermetallic semiconductor, Semiconductors, 42(№7), 753 (2008); https://doi.org/10.1134/S1063782608070014.
Yu Stadnyk, V.V. Romaka, L. Romaka, L. Orovchik, A. Horyn, Synthesis, electrical transport, magnetic properties and electronic structure of Ti1-xScxCoSb semiconducting solid solution, J. Alloys Compd., 805, 840 (2019); https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.07.088.
V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, A.M. Horyn, I.M. Romaniv, V.Z. Pashkevych, A.Ya. Horpeniuk, Features of structural, energetic, electrokinetic investigation of energy and electrokinetic characteristics of thermoelectric material TiCo1-xMnxSb, J. Thermoelectricity, 3, 5 (2020); http://jt.inst.cv.ua/jt/jt_2020_03_en.pdf.
T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal, WinPLOTR: a windows tool for powder diffraction patterns analysis, Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7 378, 118 (2001); https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.378-381.118.
M. Schruter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy, First-principles investigations of atomic disorder effects on magnetic and structural instabilities in transition-metal alloys, Phys. Rev. B, 52, 188 (1995); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.52.188.
V. Moruzzi, J. Janak, A. Williams, Calculated Electronic Properties of Metals, Pergamon Press, NY (1978); https://doi.org/10.1016/B978-0-08-022705-4.50002-8.
N.F. Mott and E.A. Davis, Electronic processes in non-crystalline materials, Clarendon Press, Oxford (1979); https://doi.org/10.1002/crat.19720070420.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2024 Yu. Stadnyk, L. Romaka, V.A. Romaka, A. Horyn, V.V. Romaka, T. Lukovskyy, O. Poplavskyi
Ця робота ліцензованаІз Зазначенням Авторства 3.0 Міжнародна.
