Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.18.2.187-193Ключові слова:
електропровідність, коефіцієнт термо-ерс, кристалічна і електронна структуриАнотація
Встановлена природа механізму генерування донорно-акцепторних пар у напівпровідниковому твердому розчині ZrNiSn1-xGax. Показано, що при зайнятті атомом Ga (4s24p1) позиції 4b атомів Sn (5s25p2) одночасно генеруються як структурні дефекти акцепторної природи, так і донорної (донорно-акцепторні пари) у вигляді вакансій у позиції 4b. Знайдено таке просторове розташування атомів в елементарній комірці ZrNiSn1-xGax, коли швидкість руху рівня Фермі εF, отримана з розрахунків розподілу густини електронних станів DOS, співпадає з експериментально встановленою з температурних залежностей питомого електроопору lnρ(1/T).
Посилання
[1] L.P. Romaka, V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, P.-F. Rogl, V.Ya. Krayovskyy, A.M. Нoryn, Z.M. Rykavets, PCSS 18(1), 41 (2017).
[2] V.A. Romaka, P. Rogl, L.P. Romaka, Yu.V. Stadnyk, V.Ya. Krayovskyy, D. Kaczorowski, A.M. Horyn, Journal of Thermoelectricity (3), 24 (2016).
[3] V.V. Romaka, L.P. Romaka, V.Ya. Krayovskyy, Yu.V. Stadnyk, Stannides of rare earth and transition metals Станіди рідкісноземельних та перехідних металів (Lvivska Politekhnika, Lviv, 2015).
[4] V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky, Intermetallics 35, 45 (2013).
[5] M. Schruter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy, Phys. Rev. B 52, 188 (1995).
[6] V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams, Calculated electronic properties of metals (Pergamon Press, NY, 1978).
[7] N.F. Mott, E.A. Davis, Electron processes in non-crystalline materials (Clarendon Press, Oxford, 1979).
[8] V.A. Romaka, V.V. Romaka and Yu.V. Stadnyk, Intermetallic Semiconductors: Properties and Applications (Lvivsk. Politekhnika, Lviv, 2011).
[2] V.A. Romaka, P. Rogl, L.P. Romaka, Yu.V. Stadnyk, V.Ya. Krayovskyy, D. Kaczorowski, A.M. Horyn, Journal of Thermoelectricity (3), 24 (2016).
[3] V.V. Romaka, L.P. Romaka, V.Ya. Krayovskyy, Yu.V. Stadnyk, Stannides of rare earth and transition metals Станіди рідкісноземельних та перехідних металів (Lvivska Politekhnika, Lviv, 2015).
[4] V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky, Intermetallics 35, 45 (2013).
[5] M. Schruter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy, Phys. Rev. B 52, 188 (1995).
[6] V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams, Calculated electronic properties of metals (Pergamon Press, NY, 1978).
[7] N.F. Mott, E.A. Davis, Electron processes in non-crystalline materials (Clarendon Press, Oxford, 1979).
[8] V.A. Romaka, V.V. Romaka and Yu.V. Stadnyk, Intermetallic Semiconductors: Properties and Applications (Lvivsk. Politekhnika, Lviv, 2011).
##submission.downloads##
Опубліковано
2017-06-15
Як цитувати
Ромака, Л., Стадник, Ю., Ромака, В., Крайовський, В., Рогль, П.-Ф., & Горинь, А. (2017). Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax. Фізика і хімія твердого тіла, 18(2), 187–193. https://doi.org/10.15330/pcss.18.2.187-193
Номер
Розділ
Наукові статті
