Особливості формування НВЧ - арсенід галієвих субмікронних структур великих інтегральних схем
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.19.2.186-190Ключові слова:
арсенід галію, польові транзистори Шотткі, нітрид вольфраму, силіцид вольфраму, монокремійАнотація
Немає сумніву, що використання польових транзисторів із затвором Шотткі на GaAs для формування швидкодіючих ВІС має велику перспективу. В даній статті розглянуто особливості технологічних процесів формування субмікронних ПТШ структур арсенідгалієвою технологією. А саме технологію формування польових транзисторів Шотткі із самозміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму.
Посилання
[1] S.P. Novosjadlyj, T.R. Sоrokhtej, Metalofizyka i novitni tekhnologii 2(4), 17 (2011).
[2] S.P. Novosjadlyj, Fizyko-tekhnolohichni osnovy submikronnoi tekhnologii VIS (Simyk, Ivano-Frankivs’k, 2003).
[3] S.P. Novosjadlyj, А.І. Теrlets’kyj, О.B. Fryk, Skhidno-Evropejs’kyj zhurnal peredovykh tekhnologij 3/7(45), 52 (2010).
[4] S.P. Novosjadlyj, Sub- і nanomikronna tekhnologija structur VІS. Monоgrafija (Міsto NV, Ivano-Frankivs’k, 2010).
[2] S.P. Novosjadlyj, Fizyko-tekhnolohichni osnovy submikronnoi tekhnologii VIS (Simyk, Ivano-Frankivs’k, 2003).
[3] S.P. Novosjadlyj, А.І. Теrlets’kyj, О.B. Fryk, Skhidno-Evropejs’kyj zhurnal peredovykh tekhnologij 3/7(45), 52 (2010).
[4] S.P. Novosjadlyj, Sub- і nanomikronna tekhnologija structur VІS. Monоgrafija (Міsto NV, Ivano-Frankivs’k, 2010).
##submission.downloads##
Опубліковано
2019-05-03
Як цитувати
Новосядлий, С., Мандзюк, В., Гуменюк, Н., & Гук, І. (2019). Особливості формування НВЧ - арсенід галієвих субмікронних структур великих інтегральних схем. Фізика і хімія твердого тіла, 19(2), 186–190. https://doi.org/10.15330/pcss.19.2.186-190
Номер
Розділ
Огляд
