Центри люмінесценції в тонких плівках β-Ga2O3 та (Y0,06Ga0,94)2O3
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.17.1.53-59Ключові слова:
оксид галію, оксид ітрію, тонкі плівки, фотолюмінесценціяАнотація
Досліджено спектри фотолюмінесценції та збудження люмінесценції тонких плівок b–Ga2O3 та (Y0.06Ga0.94)2O3 отриманих високочастотним іонно-плазмовим розпиленням в атмосфері аргону. Методом Аленцева-Фока проведено розклад спектрів фотолюмінесценції на елементарні складові. Розглянено природу двох інтенсивних смуг свічення з максимумами в області 3,00 і 3,15 еВ, а також двох слабоінтенсивних смуг свічення з максимумами в області 4,00 і 4,25 еВ. Визначено постійні часу загасання для смуг з максимумами в області 3,00 та 3,15 еВ для різних типів плівок.
Посилання
[1] K. Matsuzaki, H. Yanagi, T. Kamiya, H. Hiramatsu, K. Nomura, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 88 (9), 092106 (2006).
[2] N. D. Cuong, Y. W. Park, S. G. Yoon, Sens. Actuat. B 140(1), 240 (2009).
[3] M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77(25), 4166 (2000).
[4] J.-G. Zhao, Z.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, E.-Q. Xie, Chinese Phys. Lett. 25(10), 3787 (2008).
[5] Y. Tokida, S. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys. 52 (10R), 101102 (2013).
[6] P. Wellenius, A. Suresh, J. V. Foreman, H. O. Everitt, J. F. Muth, Mater. Sci. Eng. B 146, 252 (2008).
[7] T. Minami, T. Shirai, T. Nakatani, T. Miyata, Jpn. J. Appl. Phys. 39 (6A), L524 (2000).
[8] K. Mishra, Y. Dwivedi, S. B. Rai, Appl. Phys. B 106 (1), 101 (2012).
[9] C. Shang, X. Shang, Y. Qu, M. Li, Chem. Phys. Lett. 501 (4-6), 480 (2011).
[10] T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, T. Honda, Appl. Phys. Lett. 103, 041910 (2013).
[11] O. M. Bordun, І. J. Kuhars'kij, B. O. Bordun, V. B. Lushhanec', Physics and Chemistry of Solid State 16 (2), 302 (2015).
[12] M. V. Fok, Tr. FIAN 59, 3 (1972).
[13] N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).
[14] Ch. B. Lushhik, A. Ch. Lushhik, Raspad jelektronnyh vozbuzhdenij s obrazovaniem defektov v tverdyh telah (Nauka, Moskva, 1989).
[15] T. Harwig, F. Kellendonk, J. Solid State Chem. 24 (3-4), 255(1978).
[16] L. Binet, D. Gourier, J. Phys. Chem. Solids 59 (8), 1241 (1998).
[17] K. Shimamura, E. G. Villora, T. Ujiie, K. Aoki, Appl. Phys. Lett. 92(20), 201914 (2008).
[18] T. P. Peka, V. F. Kovalenko, V. N. Kucenko, Ljuminescentnye metody kontrolja parametrov poluprovodnikovyh materialov i priborov (Tehnika, Kiev, 1986).
[19] S.-A. Lee, S.-Y. Jeong, J.-Y. Hwang, J.-P. Kim, M.-G. Ha, C.-R. Cho, Integr. Ferroelectr. 74(1), 173 (2005).
[20] B. Liu, M. Gu, X. Liu, Appl. Phys. Lett. 91(17), 172102 (2007).
[21] M. Mohamed, C. Janowtz, I. Unger, R. Manzke, Z. Galazka, R. Uecker, R. Formari, J. R. Weber, J. B. Varley, C. G. Van der Walle, Appl. Phys. Lett. 97(21), 211903 (2010).
[22] L. Binet, D. Gourier, Appl. Phys. Lett. 77(8), 1138 (2000).
[23] J. Zhang, B. Li, C. Xia, G. Pei, Q. Deng, Z. Yang, W. Xu, H. Shi, F. Wu, Y. Wu, J. Xu, J. Phys. Chem. Solids 67 (12), 2448 (2006).
[2] N. D. Cuong, Y. W. Park, S. G. Yoon, Sens. Actuat. B 140(1), 240 (2009).
[3] M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77(25), 4166 (2000).
[4] J.-G. Zhao, Z.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, E.-Q. Xie, Chinese Phys. Lett. 25(10), 3787 (2008).
[5] Y. Tokida, S. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys. 52 (10R), 101102 (2013).
[6] P. Wellenius, A. Suresh, J. V. Foreman, H. O. Everitt, J. F. Muth, Mater. Sci. Eng. B 146, 252 (2008).
[7] T. Minami, T. Shirai, T. Nakatani, T. Miyata, Jpn. J. Appl. Phys. 39 (6A), L524 (2000).
[8] K. Mishra, Y. Dwivedi, S. B. Rai, Appl. Phys. B 106 (1), 101 (2012).
[9] C. Shang, X. Shang, Y. Qu, M. Li, Chem. Phys. Lett. 501 (4-6), 480 (2011).
[10] T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, T. Honda, Appl. Phys. Lett. 103, 041910 (2013).
[11] O. M. Bordun, І. J. Kuhars'kij, B. O. Bordun, V. B. Lushhanec', Physics and Chemistry of Solid State 16 (2), 302 (2015).
[12] M. V. Fok, Tr. FIAN 59, 3 (1972).
[13] N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).
[14] Ch. B. Lushhik, A. Ch. Lushhik, Raspad jelektronnyh vozbuzhdenij s obrazovaniem defektov v tverdyh telah (Nauka, Moskva, 1989).
[15] T. Harwig, F. Kellendonk, J. Solid State Chem. 24 (3-4), 255(1978).
[16] L. Binet, D. Gourier, J. Phys. Chem. Solids 59 (8), 1241 (1998).
[17] K. Shimamura, E. G. Villora, T. Ujiie, K. Aoki, Appl. Phys. Lett. 92(20), 201914 (2008).
[18] T. P. Peka, V. F. Kovalenko, V. N. Kucenko, Ljuminescentnye metody kontrolja parametrov poluprovodnikovyh materialov i priborov (Tehnika, Kiev, 1986).
[19] S.-A. Lee, S.-Y. Jeong, J.-Y. Hwang, J.-P. Kim, M.-G. Ha, C.-R. Cho, Integr. Ferroelectr. 74(1), 173 (2005).
[20] B. Liu, M. Gu, X. Liu, Appl. Phys. Lett. 91(17), 172102 (2007).
[21] M. Mohamed, C. Janowtz, I. Unger, R. Manzke, Z. Galazka, R. Uecker, R. Formari, J. R. Weber, J. B. Varley, C. G. Van der Walle, Appl. Phys. Lett. 97(21), 211903 (2010).
[22] L. Binet, D. Gourier, Appl. Phys. Lett. 77(8), 1138 (2000).
[23] J. Zhang, B. Li, C. Xia, G. Pei, Q. Deng, Z. Yang, W. Xu, H. Shi, F. Wu, Y. Wu, J. Xu, J. Phys. Chem. Solids 67 (12), 2448 (2006).
##submission.downloads##
Опубліковано
2016-03-15
Як цитувати
Бордун, О., Бордун, Б., Кухарський, І., & Медвідь, І. (2016). Центри люмінесценції в тонких плівках β-Ga2O3 та (Y0,06Ga0,94)2O3. Фізика і хімія твердого тіла, 17(1), 53–59. https://doi.org/10.15330/pcss.17.1.53-59
Номер
Розділ
Наукові статті
