Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb.II. Особливості кристалічної та електронної структур
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.335-340Ключові слова:
напівпровідник, електропровідність, електронна структураАнотація
Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, х = 0 – 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлена природа донорів у n-VFeSb («апріорне легування») як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Отриманий результат лежить в основі технології отримання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSbз максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.
Посилання
[1] V. A. Romaka, P. Rogl', Ju. V. Stadnik,D. Kacharovs'kij, L. P. Romaka, R. O. Korzh, V. Ja. Krajovs'kij, A. M.
Gorin', Fіz. hіm. tv. tіla, (napravlena do druku 04.2014 r.).
[2] V. V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky, Intermetallics 35, 45 (2013).
[3] V. A. Romaka, V. V. Romaka, Ju. V. Stadnik, Іntermetalіchnі napіvprovіdniki; vlastivostі ta zastosuvannja (L'vіvs'ka polіtehnіka, L'vіv, 2011).
[4] B. I. Shklovskij, A. L. Jefros, Jelektronnye svojstva legirovannyh poluprovodnikov (Nauka, Moskva, 1979).
[5] T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal, Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7 378-381, 118 (2001).
[6] M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G. G. Reddy, Phys. Rev. B 52, 188 (1995).
[7] V. L. Moruzzi, J. F. Janak, A. R. Williams, Calculated electronic properties of metals (Pergamon Press, NY, 1978).
[8] Chenguang Fu, Hanhui Xie, Yintu Liu, T. J. Zhu, Jian Xie, X. B. Zhao, Intermetallics 32, 39 (2013).
Gorin', Fіz. hіm. tv. tіla, (napravlena do druku 04.2014 r.).
[2] V. V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky, Intermetallics 35, 45 (2013).
[3] V. A. Romaka, V. V. Romaka, Ju. V. Stadnik, Іntermetalіchnі napіvprovіdniki; vlastivostі ta zastosuvannja (L'vіvs'ka polіtehnіka, L'vіv, 2011).
[4] B. I. Shklovskij, A. L. Jefros, Jelektronnye svojstva legirovannyh poluprovodnikov (Nauka, Moskva, 1979).
[5] T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal, Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7 378-381, 118 (2001).
[6] M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G. G. Reddy, Phys. Rev. B 52, 188 (1995).
[7] V. L. Moruzzi, J. F. Janak, A. R. Williams, Calculated electronic properties of metals (Pergamon Press, NY, 1978).
[8] Chenguang Fu, Hanhui Xie, Yintu Liu, T. J. Zhu, Jian Xie, X. B. Zhao, Intermetallics 32, 39 (2013).
##submission.downloads##
Опубліковано
2015-06-15
Як цитувати
Ромака, В., Рогль, П., Ромака, Л., Стадник, Ю., Корж, Р., Крайовський, В., … Цигилик, Н. (2015). Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb.II. Особливості кристалічної та електронної структур. Фізика і хімія твердого тіла, 16(2), 335–340. https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.335-340
Номер
Розділ
Наукові статті
