ІЧ-фотоіндуковані п'єзоелектричні ефекти у багатокомпонентних халькогенідах Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.401-405Ключові слова:
халькогеніди, лазер, фотоіндуковані п'єзоелектричні властивостіАнотація
Досліджено вплив зовнішнього опромінення лазерів CO2, CO, Er: скла, Nd: YA на п'єзоелектричні властивості кристалів Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6. Максимальні фотоіндуковані зміни п'єзоелектричного коефіцієнта спостерігалися після опромінення CO2 лазером. Фотоіндукційні двоколірні промені з довжиною хвилі 5,5 мкм викликають принаймні в 4 рази менший приріст п’єзоелектричних коефіцієнтів. Тому можна очікувати, що первинні механізми викликають збудження фононної підсистеми.
Посилання
[1] M. A. H. Muhammed, M. Döblinger, J. Rodríguez-Fernández, Switching, Journal of the American Chemical Society 137, 11666 (2015) (doi: 10.1021/jacs.5b05337).
[2] Z.L. Wang, Advanced Materials 24, 4632 (2012) (doi: 10.1002/adma.201104365).
[3] N. Narasimha Rao, I.V. Kityk, V. Ravi Kumar et. al., Journal of Non-Crystalline Solids 358, 702 (2012). (doi: 10.1016/j.jnoncrysol.2011.11.019).
[4] K. Ozga, A. Majchrowski, N. AlZayed et. al., Journal of Crystal Growth 344, 27 (2012) (doi: 10.1016/j.jcrysgro.2012.01.050).
[5] I.V. Kityk, O. Parasyuk, A.O. Fedorchuk et. al., Materaisl Research Bulletin 100, 131 (2018) (doi: 10.1016/j.materresbull.2017.12.013).
[6] A. Grachev , A. Kamshilin, Optics Express 13(21), 8565(2005) (doi: 10.1364/OPEX.13.008565).
[7] Yoon Myung, Hyung Soon Im, Chang Hyun Kim et. al., Chemical Communications 49, 187(2013) (doi: 10.1039/c2cc37513c).
[8] A.M. Andriesh, Semiconductors 32 (8), 867 (1998) (http://citeseerx.ist.psu.edu/viewdoc/download?doi=
10.1.1.501.9178&rep=rep1&type=pdf).
[9] I.V.Kityk, The Journal of Physical Chemistry B 107(B), 10083 (2003) (doi: 10.1021/jp030058a).
[10] B. Xue, V. Nazabal, M. Piasecki et. al., Materials Letters 73, 14 (2012), (doi: 10.1016/j.matlet.2011.12.089).
[11] A.S. Krymus, G.L. Myronchuk, O.V. Parasyuk et. al., Advanced Functional Materials 24(4), 521 (2017), (doi: 10.15407/fm24.04.521).
[12] B. Monserrat, E.A. Engel, Needs R. Physical Review B 92, 140302 (2015) (doi: 10.1103/PhysRevB.92.140302).
[13] I. Barchiy, M. Sabov, A. M. El-Naggar et. al., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 27, 3901 (2016) (doi: 10.1007/s10854-015-4240-4).
[14] The TlInX2–DIVX2 systems: phase equilibria and optoelectronic properties of solid solutions: a monograph/G.L. Myronchuk et. al. (Vezha-Druk, Lutsk, 2016).
[15] O.V. Parasyuk, G.L. Myronchuk, A.O. Fedorchuk, et. al., Crystals 6, 107 (2016) (doi: 10.3390/cryst6090107).
[16] V. Badikov, K. Mitin, F. Noack, et. al., Optical Materials 31(4), 590 (2009), (doi: 10.1016/j.optmat.2008.06.015).
[17] D.J. Knuteson, N.B. Singh, Kanner, A. et. al., Journal of Crystal Growth 312, 1114 (2010), (doi: 10.1016/j.jcrysgro.2009.10.051).
[18] G. Lemercier, C. Andraud, I.V. Kityk, et. al., Chemical Physics Letters 400, 19 (2004), (doi: 10.1016/j.cplett.2004.10.091).
[19] Y. Kogut, A. Fedorchuk, A. Zhbankov et. al., Journal of Alloys and Compounds 509, 4264 (2011) (doi: 10.1016/j.jallcom.2010.11.069).
[20] A.H. Reshak, I.V. Kityk, S. Auluck, The Journal of Physical Chemistry C 114, 16705 (2010) (doi: 10.1021/jp1072878).
[21] A.O. Fedorchuk, G.P. Gorgut, O.V. Parasyuk et. al., Journal of Physics and Chemistry of Solids 72, 1354 (2011) (doi: 10.1016/j.jpcs.2011.08.008).
[2] Z.L. Wang, Advanced Materials 24, 4632 (2012) (doi: 10.1002/adma.201104365).
[3] N. Narasimha Rao, I.V. Kityk, V. Ravi Kumar et. al., Journal of Non-Crystalline Solids 358, 702 (2012). (doi: 10.1016/j.jnoncrysol.2011.11.019).
[4] K. Ozga, A. Majchrowski, N. AlZayed et. al., Journal of Crystal Growth 344, 27 (2012) (doi: 10.1016/j.jcrysgro.2012.01.050).
[5] I.V. Kityk, O. Parasyuk, A.O. Fedorchuk et. al., Materaisl Research Bulletin 100, 131 (2018) (doi: 10.1016/j.materresbull.2017.12.013).
[6] A. Grachev , A. Kamshilin, Optics Express 13(21), 8565(2005) (doi: 10.1364/OPEX.13.008565).
[7] Yoon Myung, Hyung Soon Im, Chang Hyun Kim et. al., Chemical Communications 49, 187(2013) (doi: 10.1039/c2cc37513c).
[8] A.M. Andriesh, Semiconductors 32 (8), 867 (1998) (http://citeseerx.ist.psu.edu/viewdoc/download?doi=
10.1.1.501.9178&rep=rep1&type=pdf).
[9] I.V.Kityk, The Journal of Physical Chemistry B 107(B), 10083 (2003) (doi: 10.1021/jp030058a).
[10] B. Xue, V. Nazabal, M. Piasecki et. al., Materials Letters 73, 14 (2012), (doi: 10.1016/j.matlet.2011.12.089).
[11] A.S. Krymus, G.L. Myronchuk, O.V. Parasyuk et. al., Advanced Functional Materials 24(4), 521 (2017), (doi: 10.15407/fm24.04.521).
[12] B. Monserrat, E.A. Engel, Needs R. Physical Review B 92, 140302 (2015) (doi: 10.1103/PhysRevB.92.140302).
[13] I. Barchiy, M. Sabov, A. M. El-Naggar et. al., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 27, 3901 (2016) (doi: 10.1007/s10854-015-4240-4).
[14] The TlInX2–DIVX2 systems: phase equilibria and optoelectronic properties of solid solutions: a monograph/G.L. Myronchuk et. al. (Vezha-Druk, Lutsk, 2016).
[15] O.V. Parasyuk, G.L. Myronchuk, A.O. Fedorchuk, et. al., Crystals 6, 107 (2016) (doi: 10.3390/cryst6090107).
[16] V. Badikov, K. Mitin, F. Noack, et. al., Optical Materials 31(4), 590 (2009), (doi: 10.1016/j.optmat.2008.06.015).
[17] D.J. Knuteson, N.B. Singh, Kanner, A. et. al., Journal of Crystal Growth 312, 1114 (2010), (doi: 10.1016/j.jcrysgro.2009.10.051).
[18] G. Lemercier, C. Andraud, I.V. Kityk, et. al., Chemical Physics Letters 400, 19 (2004), (doi: 10.1016/j.cplett.2004.10.091).
[19] Y. Kogut, A. Fedorchuk, A. Zhbankov et. al., Journal of Alloys and Compounds 509, 4264 (2011) (doi: 10.1016/j.jallcom.2010.11.069).
[20] A.H. Reshak, I.V. Kityk, S. Auluck, The Journal of Physical Chemistry C 114, 16705 (2010) (doi: 10.1021/jp1072878).
[21] A.O. Fedorchuk, G.P. Gorgut, O.V. Parasyuk et. al., Journal of Physics and Chemistry of Solids 72, 1354 (2011) (doi: 10.1016/j.jpcs.2011.08.008).
##submission.downloads##
Опубліковано
2019-12-15
Як цитувати
Мирончук, Г., Замуруєва, О., & Кітик, І. (2019). ІЧ-фотоіндуковані п’єзоелектричні ефекти у багатокомпонентних халькогенідах Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6. Фізика і хімія твердого тіла, 20(4), 401–405. https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.401-405
Номер
Розділ
Наукові статті
