Optical properties of CdTe doped Ca

В.В. Прокопів; Т.М. Мазур; М.М. Сльотов; М.П. Мазур; О.В. Кінзерська; О.М. Сльотов

doi:10.15330/pcss.21.1.52-56

Автор(и)

В.В. Прокопів ДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Т.М. Мазур ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника» Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу
М.М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
М.П. Мазур Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
О.В. Кінзерська Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
О.М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.21.1.52-56

Ключові слова:

телурид кадмію, ізовалетна домішка, оптичне поглинання і відбивання, інтенсивна фотолюмінесценція

Анотація

Досліджено оптичне поглинання, відбивання і люмінесценцію CdTe:Ca. Встановлено, що отримані леговані Ca поверхневі шари характеризуються інтенсивною фотолюмінесценцією з η = 8-10% у крайовій області. Випромінювання формується внаслідок міжзонної рекомбінації вільних носіїв заряду і анігіляцією зв’язаних на ізовалентних домішках Ca екситонів. Зазначені складові спостерігаються у диференційних спектрах оптичного відбивання Ŕ_ωу приповерхневому шарі отриманому при легування ізовалентною домішкою Ca підкладинок CdTe. Встановлено, що легування обумовлює утворення p-типу провідності.

Посилання

O. Ermakov, Applied optoelectronics (Technosphere, Moskva, 2004).

V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, N.V. Skrypnyk, Ukrainian Journal of Physical Optics 10(1), 54 (2009) (https://doi.org/10.3116/16091833/10/1/54/2009).

D.V. Korbutyak, S.V. Melnichuk, E.V. Korbut, M.M. Borisyuk, Telluride cadmium: home-defective camps and detection authorities ("Ivan Fedorov", Kyiv, 2000).

T. Mazur, V. Prokopiv, L. Turovska, Molecular Crystals and Liquid Crystals 671(1), 85 (2018) (https://doi.org/10.1080/15421406.2018.1542088).

T.M. Mazur, V.P. Makhniy, V.V. Prokopiv, M.M. Slyotov, Journal of Nano- and Electronic Physics, 9(5), 05047 (2017) (https://doi.org/10.21272/jnep.9(5).05047).

V.I. Fistul, Atoms of dopants in semiconductors (state and behavior) (Fizmatlit, Moskva, 2004).

V.P. Makhniy, M.M. Sletov, N.V. Demich., A.M. Sletov, Transactions of Int. scientific conf. "Actual problems of solid state physics." (Ed. Center BSU, Minsk, 2005), 385.

V.P. Makhniy, T.M. Mazur, M.M. Berezovsky, O.V. Kinzerska, V.V. Prokopiv, Physics and Chemistry of Solid State, 19(4), 313 (2018) (https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.372-375).

Yu.V. Vorobiev, V.I. Dobrovolsky, V.I. Stryha, Semiconductor research methods (Vyshcha schola, Kyiv, 1988).

M.M. Slyotov, А.M. Slyotov, Journal IAPGOS, 4, 4 (2018).

V.V. Prokopiv, B.S. Dzundza, O.B. Kostyuk, T.M. Mazur, L.V. Turovska, O.M. Matkivskyi, M.V. Deychakivskyi, Physics and Chemistry of Solid State, 20 (4), 372 (2019) (https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.372-375).

V.P. Gribkovsky, The theory of absorption and emission of light in semiconductors (Science and technology, Minsk, 1975).

V.I Gavrilenko, A.M. Grekhov, D.V. Korbutyak, V.G. Litovchenko, Optical properties of semiconductors. Directory (Naukova Dumka, Kyiv, 1987).

V. Khomyak, M. Slyotov, I. Shtepliuk, O. Slyotov, and V. Kosolovskiy, Acta Physica Polonica A, 122 (6), 1039 (2012).

Era Koh, D.W. Langer, J. Luminescence, (1-2), 514 (1970).

M.M. Slyotov, V.P. Makhniy, A.M. Slyotov, V.V. Kosolovskiy, Telecommunication and Radio Engineering, 73 (10), 909 (2014) (https://doi.org/10.1615/TelecomRadEng.v73.i10.50).

I.V. Horichok, H.Ya. Hurhula, V.V. Prokopiv, M.A. Pylyponiuk, Ukrainian Journal of Physics, 61 (11), 992 (2016) (https://doi.org/10.15407/ujpe61.11.0992).