Розсіювання носіїв заряду в тонких плівках PbTe:Bi
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.171-174Ключові слова:
плюмбум телурид, легування, розсіювання носіїв заряду, рухливістьАнотація
Проведено розрахунки механізмів розсіювання носіїв заряду в тонких плівках PbTe:Bi із 1 ат.% вісмуту. Визначено домінуючі механізми розсіювання в досліджуваних зразках. Розглянуто товщинні залежності співвідношення msurf/mbulk.
Посилання
J. Mao, Z. Liu, Z. Ren, Quant. Mater., 1, 16028 (2016) (https://doi.org/10.1038/npjquantmats.2016.28).
Chao HAN, et al., Advanced Energy Materials, 6(15), 1600498 (2016) (https://doi.org/10.1002/aenm.201600498).
G. Bulman, P. Barletta, J. Lewis, N. Baldasaro, M. Manno, A. Bar-Cohen, B. Yang, Nature communications, 7, 10302 (2016) (https://doi.org/10.1038/ncomms10302).
Ihtesham Chowdhury, et al., Nature nanotechnology, 4.4: 235 (2009).
R. Venkatasubramanian, et al., Thin-film thermoelectric devices with high roomtemperature figures of merit. (Materials for Sustainable Energy, 2011).
L.D. Hicks, & M.S. Dresselhaus, Physical Review B, 47(19), 12727 (1993).
Y. Lan, A.J. Minnich, G. Chen, Z. Ren, Advanced Functional Materials, 20(3), 357 (2010).
H. Alam, S. Ramakrishna, Nano energy, 2(2), 190 (2013).
D. Ding, D. Wang, M. Zhao, J. Lv, H. Jiang, C. Lu, Z. Tang, Advanced Materials, 29(1), 1603444 (2017) (https://doi.org/10.1002/adma.201603444).
I.A. Moskalyk, Physics and Chemistry of Solid State 16(4), 742 (2015) (doi:10.15330/pcss.16.4.742-746).
D.M. Zayachuk, FTP., 31(2), 217 (1997).
D.M. Freik, L.I. Nukuruy, R.O. Dzumedzey, O. Zub, Physics and Chemistry of Solid State 11(1), 62 (2010).
R.O. Dzumedzey, Physics and Chemistry of Solid State 12(1), 69 (2011).
L.I. Nukuruy, R.O. Dzumedzey, M.O. Galushak, T.P. Gevak, Yu.V. Bandura, Physics and Chemistry of Solid State 12(3), 589 (2011).
L.I. Nykyruy, O.M. Voznyak, Y.S. Yavorskiy, V.A. Shenderovskiy, R.O. Dzumedzey, O.B. Kostyuk, R.I. Zapukhlyak, Journal of Thermoelectricity, 3, 15 (2018).
