Формування тонких плівок CdZnTe при вирощуванні методом «гарячої стінки» та їх властивості
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.22.4.638-643Ключові слова:
CdZnTe, молекулярна епітаксія «гаряча стінка», морфологія, самоорганізаціяАнотація
В даній роботі проведено морфологічні, рентгено-структурні та оптичні дослідження плівок CdZnTe вирощених методом молекулярної епітаксії «гаряча стінка», при відносно низьких температурах підкладки. Розглянуто можливі механізми та процеси самоорганізації, що відбуваються при рості таких структур. Показано, що при товщині плівки більше 130 нм, на поверхні спостерігаються великі (латеральні розміри 150 – 200 нм, висота – до 10 нм) і маленькі кристаліти. Визначено товщини та енергія ширини забороненої зони плівок CdZnTe, вирощених при різному часі росту. Показано, що край поглинання плівок у спектрах пропускання залежить від товщини плівки та обговорено причини зсуву краю поглинання плівок у спектрах пропускання.
Посилання
Jiaying Bie, Shilin Wang, Yongsheng Guan, Xiang Zhang, Yan Sun, Changhong Sun, Ke Tang, Jian Huang, Meng Cao, Jun Ling, Ke Tan, Yue Shen, Linjun Wang, Energy Fuels 35(9), 8234 (2021); https://doi.org/10.1021/acs.energyfuels.1c00356.
E. Camacho-Espinosa, A. Lopez-Sanchez, I. Rimmaudo, R. Mis-Fernandez, J.L. Pena, Solar Energy 193, 31 (2019); https://doi.org/10.1016/j.solener.2019.09.023.
W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone, Appl. Phys. Rev. 2, 041303 (2015); https://doi.org/10.1063/1.4936577.
F. Sizov, M. Vuichyk, K. Svezhentsova, Z. Tsybrii, S. Stariy, M. Smolii, Material Science in Semiconductor Processing 124, 105577 (2021); https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105577.
B.J. Kim, J.F. Wang, G. MLalev, Y.-G. Park, D. Shindo, M. Isshiki, Materials Chemistry and Physics 80(3), 581 (2003); https://doi.org/10.1016/S0254-0584(02)00387-5.
Y.P. Saliy, L.I. Nykyruy, R.S. Yavorskyi, S.Adamiak. Journal of nano- and electronic physics 9(5), 05016 (2017). https://doi.org/10.21272/jnep.9(5).05016.
A. Lopez-Otero, Thin solid films 49(1), 3 (1978); https://doi.org/10.1016/0040-6090(78)90309-7.
I.V. Kurilo, H.A. Ilchuk, S.V. Lukashuk, I.O. Rudyi, V.O. Ukrainets, N.V. Chekaylo, Semiconductors 45, 1531 (2011); https://doi.org/10.1134/S1063782611120086.
J.P. Hirth and G.M. Pound, Condensation and Evaporation: Nucleation and Growth Kinetics (Hardcover, Pergamon Press, 1963).
D. Walton, J. Chem. Phys. 37, 2182 (1962); https://doi.org/10.1063/1.1732985.
S.A. Kukushkin, V.V. Slezov, Dispersnyye sistemy na poverkhnosti tverdykh tel (S-Pb, Nauka, 1996) (in russ.)
V. Kosyak, Y. Znamenshchykov, A. Čerškus, Yu P. Gnatenko, L. Grase, J. Vecstaudza, A. Medvids, A. Opanasyuk, G. Mezinskis, 682, 543 (2016); https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2016.05.065.
R. Petrus, H. Ilchuk, A. Kashuba, I. Semkiv, E. Zmiiovska, Funct. Mater. 27(2), 342 (2020); https://doi.org/10.15407/fm27.02.342.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
