Діркова провідність тонких шарів кадмій телуриду з домішками Li та Ca
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.19.4.313-315Ключові слова:
кадмій телурид, провідність, ізовалентна домішка, точкові дефекти, енергія іонізаціїАнотація
Низькотемпературним відпалом підкладок n-CdTe у водяних суспензіях солей LiNO3 та Ca(NO3)2 створені шари p-типу провідності. Оціночна концентрація вільних дірок в дифузійних шарах при 300 К становить (5-50)∙1015 см-3.
Посилання
Properties of narrowgap cadmium based compounds (INSPEC, The institution of Electrical Engineers, London, United Kingdom, 1994).
D. V. Korbutyak, S. V. Melnychuk, E. V. Korbut, M. M. Borysyuk, Cadmium telluride: impurity-defect states and detector properties (Ivan Fedorov, Kiev, 2000).
K. Chopra, S. Das, Thin-film solar cells (MIR, Moscow, 1986).
V. P. Makhniy, I. I. German, G. I. Bodyul, Method for obtaining Hd-conductive CdTe layers. Patent of Ukraine for Utility Model UA №107086, Byul. №10, 25.05.2015.
I. V. Shalimova, Semiconductor Physics (Energoatom, Moscow, 1985).
V. P. Makhniy, Physics and Chemistry of Point Defects in Semiconductors (Chernivtsi National University, Chernivtsi, 2014).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
