Hole Conductivity of Thin Layers of Cadmium Telluride with Li and Ca Impurities

В.П. Махній; Т.М. Мазур; М.М. Березовський; О.В. Кінзерська; В.В. Прокопів

doi:10.15330/pcss.19.4.313-315

Автор(и)

В.П. Махній Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Т.М. Мазур Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
М.М. Березовський Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
О.В. Кінзерська Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
В.В. Прокопів Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.19.4.313-315

Ключові слова:

кадмій телурид, провідність, ізовалентна домішка, точкові дефекти, енергія іонізації

Анотація

Низькотемпературним відпалом підкладок n-CdTe у водяних суспензіях солей LiNO₃ та Ca(NO₃)₂створені шари p-типу провідності. Оціночна концентрація вільних дірок в дифузійних шарах при 300 К становить (5-50)∙10¹⁵ см^-3.

Посилання

Properties of narrowgap cadmium based compounds (INSPEC, The institution of Electrical Engineers, London, United Kingdom, 1994).

D. V. Korbutyak, S. V. Melnychuk, E. V. Korbut, M. M. Borysyuk, Cadmium telluride: impurity-defect states and detector properties (Ivan Fedorov, Kiev, 2000).

K. Chopra, S. Das, Thin-film solar cells (MIR, Moscow, 1986).

V. P. Makhniy, I. I. German, G. I. Bodyul, Method for obtaining Hd-conductive CdTe layers. Patent of Ukraine for Utility Model UA №107086, Byul. №10, 25.05.2015.

I. V. Shalimova, Semiconductor Physics (Energoatom, Moscow, 1985).

V. P. Makhniy, Physics and Chemistry of Point Defects in Semiconductors (Chernivtsi National University, Chernivtsi, 2014).