Розподіл нерівноважних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з однаковою товщиною пористих шарів
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.23.1.159-164Ключові слова:
двосторонній макропористий кремній, пористий кремній, нерівноважні носії зарядуАнотація
В роботі для розрахунку розподілу концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії використовується розв’язок рівняння дифузії для стаціонарних умов, який записується для монокристалічної підкладки та макропористих шарів. Розв’язок рівняння дифузії доповнюється граничними умови на межі макропористих шарів та монокристалічної підкладки та на межі зразка двостороннього макропористого кремнію. Розрахована залежність розподілу концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з однаковою товщиною пористих шарів від глибини макропор, товщини зразка двосторонньому макропористому кремнії та об’ємного часу життя неосновних носіїв заряду. Показано, що в функції розподілу концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії спостерігаються два максимуми. Максимуми розташовані в фронтальному макропористому шарі, біля поверхні зразка, та в монокристалічній підкладці, біля межі фронтальний макропористий шар - монокристалічна підкладка.
Посилання
M. Ernst, R. Brendel, R. Ferre, N.P. Harder, Physic Status Solidi – Rapid Research Letters 6(5), 187 (2012); https://doi.org/10.1002/pssr.201206113.
A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, R.M. Korkishko, V.M. Vlasyuk, I.O. Sokolovskyi, B.F. Dvernikov, V.V. Chernenko, and M. Evstigneev, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 24(2), 175 (2021); https://doi.org/10.15407/spqeo24.02.175.
A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, R.M. Korkishko, V.M. Vlasiuk, I.O. Sokolovskyi, B.F. Dvernikov, V.V. Chernenko, M.A. Evstigneev, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 24(3), 319 (2021); https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.319.
V.F. Onyshchenko, L.A. Karachevtseva, M.I. Karas’, Emerging Science journal 4(3), 192 (2020); https://doi.org/10.28991/esj-2020-01223.
L.A. Karachevtseva, V.F. Onyshchenko, A.V. Sachenko, Ukrainian Journal of Physics 53(9), 874 (2008).
L. Karachevtseva, M. Karas’, V. Onishchenko, F. Sizov, Proceedings of SPIE 5360, 381 (2004); https://doi.org/10.1117/12.530446.
M. Ernst, R. Brendel, Solar Energy Materials and Solar Cells 95(4), 1197 (2011); https://doi.org/10.1016/j.solmat.2011.01.017.
L. Karachevtseva, M. Kartel, V Kladko, O. Gudymenko, Wang Bo, V. Bratus, O. Lytvynenko, V Onyshchenko, O. Stronska, Applied Surface Science 434, 142 (2018); https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.10.029.
V.F. Onyshchenko, L.A. Karachevtseva, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 23(1), 29 (2020); https://doi.org/10.15407/spqeo23.01.29.
P.O. Gentsar, A.V. Stronski, L.A. Karachevtseva, V.F. Onyshchenko, Physics and Chemistry of Solid State 22(3), 453 (2021); https://doi.org/10.15330/pcss.22.3.453-459.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
