Бар’єрна ємність гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.23.3.450-453Ключові слова:
гетероперехід, бар'єрна ємність, вольт-фарадна характеристика, структурні дефектиАнотація
Наведено результати дослідження електричних характеристик гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4, отриманого методом посадки на оптичний контакт. Показано, що вольт-амперні характеристики та вольт-фарадні характеристики (ВФХ) є типовими для різкого гетеропереходу. Виявлено частотну залежність ВФХ: зі збільшенням частоти змінної напруги бар'єрна ємність зменшується. Залежності ВФХ від частоти обумовлені наявністю власних структурних дефектів та пов'язаних із ними локалізованих донорних станів у забороненій зоні CdIn2Te4. Одержані результати пояснюються залежними від частоти процесами перезарядки глибоких донорних центрів.
Посилання
O.G. Grushka, V.T. Maslyuk, S.M. Chupyra, O.M. Myslyuk, O. M. Slyotov, The influence of γ-irradiation on electrical properties of CdIn2Te4 crystals, Telecommunications and Radio Engineering 78(11), 1027 (2019); https://doi.org/10.1615/TelecomRadEng.v78.i11.90.
O.G. Grushka, S.M. Chupyra, S.V. Bilichuk, O.A. Parfenyuk, Electronic processes in CdIn2Te4 crystals, Semiconductors 52(8), 973 (2018); https://doi.org/10.1134/S1063782618080079.
P.M. Gorley, Z.M. Grushka, O.G. Grushka, P.P. Gorley, I.I. Zabolotsky, Electrical properties of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterostructure, Semiconductor Physics. Quantum Electronics and Optoelectronics 13(4), 444 (2010); https://doi.org/10.15407/spqeo13.04.
V. Riede, H.Neumann, V.Krämer, M.Kittel, Infrared and Raman spectra of CdIn2Te4, Solid State Communication 78(3), 211 (1991); https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90285-4.
G.B. Dubrovskii, Crystal structure and electronic spectrum of SnS2, Physics of the Solid State 40, 1557 (1998); https://doi.org/10.1134/1.1130598.
S.S. Ou, S.A. Eshraghi, O.M. Stafsudd, The electronic characteristics of n-type CdIn2Te4, J. Appl. Phys. 57(2), 355 (1985); https://doi.org/10.1063/1.334814.
B.L. Sharma, R.K. Purochit. Semiconductor heterojunctions (Sov. radio, Moscow, 1979).
D.B. Ananyina, V.L. Bakumenko, A.K. Bonakov, G.G. Grushka, About the characteristics of a n-SnS2-n-Hg3In2Te6 heterojunction formed by deposition over optical contact, Semiconductors 14(12), 2419 (1980). (in Russian).
V.V. Malyutina-Bronskaya, O.A. Grebenschikov, V.B. Zalesski, T.R. Leonova, Analysis of capacitance-voltage haracteristics of ZnO:RE thin films on silicone substrates by the Therman method, Condensed Matter and Interphases 14(4), 433 (2012); https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/1001
N.A. Kornushkin, N.A. Valishenko, A.P. Kovcavtsev, G.L. Kuryshev, The influence of interface properties and deep levels in the band gap on capacitance-voltage characteristics of InAs-bases Metal-Insulator-Semiconductor structures, Semiconductors 30(5), 914 (1996); http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/18430 (in Russian).
T.G. Kerimova, I.A.Mamedova, Temperature dependence of the photoluminescence of CdIn2Te4, XIV Russian Conference on Physics of Semiconductors (Pero, Moscow, 2019), p. 56. https://www.isp.nsc.ru/semicond2019/upload/semicond2019-abstracts-1.pdf (in Russian).
