Light emitters based on CdTe doped with isovalent impurities

Т.М. Мазур; M.M. Сльотов; О.М. Сльотов; М.П. Мазур

doi:10.15330/pcss.23.2.317-321

Автор(и)

Т.М. Мазур Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу, Івано-Франківськ, Україна
M.M. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, Україна
О.М. Сльотов Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича, Чернівці, Україна
М.П. Мазур Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу, Івано-Франківськ, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.23.2.317-321

Ключові слова:

світловипромінювачі, телурид кадмію, ізовалетна домішка, висока інтенсивність, крайове випромінювання

Анотація

Досліджено проблеми розроблення світловіпромінювальних структур на основі CdTe із розширеним діапазоном робочих температур і радіаційно стійких параметрів. Опановано методику отримання джерел гетероструктури, визначені технологічні режими зміщення та отримання випроміну з високою квантовою ефективністю η = 7-20 % при 300 К у широкій спектральній області. Розроблено конструкцію приладів і виготовлено легування ізовалентними домішками Mg, Ca світловіпромінювачі на основі CdTe, випромінювання яких міжзонною рекомбінацією вільних носіїв заряду та доміною анігіляцією зв’язаних екситонів.

Посилання

Adachi Sadao, Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (Wiley, New Jersey, 2009).

T.M. Mazur, V.P. Makhniy, V.V. Prokopiv, M.М. Slyotov, Thermal annealing effect on optical properties of the cadmiun telluride films, Journal of Nano- and Electronic Physics 9(5), 05047 (2017); http://doi.org/10.21272/jnep.9(5).05047.

О. Yermakov, Applied Optoelectronics (Technosphere, Moscow, 2004).

T. Mazur, M. Slyotov, M. Mazur, V. Prokopiv, O. Kinzerska, O. Slyotov, Features of the cadmium chalcogenide substrates with surface nanostructure, Materials Today: Proceedings 35, 626 (2021); https://doi.org/10.1016/j.matpr.2019.12.112.

L. Nykyrui, Y. Saliy, R. Yavorskyi, Y. Yavorskyi, V. Schenderovsky, G. Wisz, S. Górny, CdTe vapor phase condensates on (100) Si and glass for solar cells. In 2017 IEEE 7th International Conference Nanomaterials: Application & Properties (NAP) 01PCSI26, (2017); https://doi.org/10.1109/NAP.2017.8190161.

D.V. Korbutyak, S.V. Melnychuk, E.V. Korbut, M.M. Borysyuk, Cadmium telluride: impurity-defect states and detector properties (Ivan Fedorov, Kiev, 2000).

B. Naidych, T. Parashchuk, I. Yaremiy, et al., Structural and Thermodynamic Properties of Pb-Cd-Te Thin Films: Experimental Study and DFT Analysis, J. Electron. Mater. 50, 580 (2021); https://doi.org/10.1007/s11664-020-08561-5.

А.N. Georgobiani, М.K. Sheinkman et al., Physics of compounds А2В6 (Mir, Moscow, 1986).

Y.V. Vorobyov, V.I. Dobrovolsky, V.I. Strikha, Semiconductor research methods (Vyshcha Shkola, Kiev, 1988).

L.A. Kosyachenko, M.P. Mazur, Hot-carrier far infrared emission in silicon, Semiconductors 33(2), 143 (1999); https://doi.org/10.1134/1.1187660.

V.I. Fistul, Dopant Atoms in Semiconductors (State and Behavior) (Fizmatlit, Moscow, 2004).

V.I. Gavrilenko, A.M. Grekhov, D.V. Korbutyak, V.G. Litovchenko, Optical properties of semiconductors. Directory (Naukova Dumka, Kyiv, 1987).

V.P. Gribkovskii, Theory of light absorption and emission in semiconductors (Izdatel Nauka i Tekhnika, Minsk, 1975).

V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, E.V. Tkachenko I.V Stets, V.V. Gorley, P.P. Horley, Application of modulation spectroscopy for determination of recombination center parameters, Thin Solid Films 450 (2004); https://doi.org/10.1016/j.tsf.2003.11.170.

T.M. Mazur, V.V. Prokopiv, M.M. Slyotov, M.P. Mazur, O.V. Kinzerska, O.M. Slyotov, Optical properties of CdTe doped Ca. Physics and chemistry of solid state 21(1), 52 (2020); https://doi.org/10.15330/pcss.21.1.52-56.

М.М. Sletov, В.В. Kosolovsky, А.М. Sletov, К.С. Ulyanitsky, Sensors with isovalent impurities, Sensor Electronics and Microsystem Technologies 2(8), 71 (2011); https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.2.117482.