Структура та магнітні властивості голкоподібних кристалів Si0,97Ge0,03
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.19.1.14-20Ключові слова:
кремній-германій, голкоподібні кристали, електронна мікроскопія, рентгенівський спектр, магнітна сприйнятливістьАнотація
Методом хімічних транспортних реакцій у закритій галоїдній системі Si-Au-Pt-B-Br вирощено ниткоподібні кристали Si1-xGex складу х = 0,01–0,08 поперечними розмірами 0,1-100 мкм. Досліджено структурні та магнітні властивості одержаних кристалів. Методом скануючої електронної мікроскопії показано, що на поверхні голкоподібних кристалів, поперечними розмірами 50-80 мкм, присутня пориста оболонка товщиною 50-60 нм. З аналізу енергетичний спектрів рентгенівського випромінювання встановлено, що поверхнева оболонка містить значну концентрацією атомів кисню та вуглецю. У свою чергу, на внутрішніх шарах зразків піків кисню та вуглецю не виявлено. Встановлено, що стравлювання поверхневого шару кристалів приводить до покращення їх структурних та магнітних властивостей.Посилання
[1] S. V. Sazhnev, M. A. Fomychev, V. N. Tymofeev. Nano- ans microsyst. tech. 1, 39 (2008).
[2] F. Zhang, Y. Ding, Y. Zhang, X. Zhang, Z. Wang. ACS Nano. 6(10), 9229 (2012).
[3] X. T. Zhou, J. Q. Hu, C. P. Li, D. D. Ma, C. S. Lee, S. T. Lee. Chemical Physics Letters. 369, 220 (2003).
[4] I. Maryamova, A. Druzhinin. E. Lavitska, I. Gortynska, Y. Yatzuk. Sensors and Actuators. A85(1-3), 153 (2000).
[5] A. A. Druzhynin, I. P. Ostrovskiy, S. M. Matvienko, Yu. P. Kohut. Technology and constr. in electron. devices. (1), 26 (2005).
[6] R. Baitsar, V. Voronin, E. Krasnogenov, N. Bogdanova. Sensors and Actuators. A30, 175 (1992).
[7] V. Voronin, I. Maryamova, Y. Zaganyach, E. Karetnikova, A. Kutrakov. Sensors and Actuators. A30, 27 (1992).
[8] A. O. Druzhynin, I. Y. Maryamova, E. N. Lavytska, O. P. Kutrakov. Sensors and systems. (6), 2 (2001).
[9] A. O. Druzhynin, I. Y. Maryamova, O. P. Kutrakov, N. S. Lyakh-Kahuy. Physics and Chemistry of Solid State. 12(4), 1078 (2011).
[10] Ya. Yang, Yu. Zhou, J.M. Wu. ACS Nano. 6(9), 8456 (2012).
[11] A. Druzhinin, I. Ostrovskii, N. Liakh-Kaguy. Journal of Thermoelectricity. (4), 82 (2009).
[12] V. Krivitsky, L. Hsiung, A. Lichtenstein, B. Brudnik, R. Kantaev, R. Elnathan, A. Pevzner, A. Khatchtourints, F. Patolsky. Nano Lett. 12(9), 4748 (2012).
[13] F. Patolsky, G. Zheng C. M. Lieber. Nanomedicine. 1(1), 51 (2006).
[14] Y. Zhou, Y. Liu, J. Cheng Y. Lo. Nano Lett. 12(11), 5929 (2012).
[15] V. A. Voronin, I. L. Maryamova, A. S. Ostrovskaya. Cryst. Prop. and Prepar. 36-39, 340 (1991).
[16] P. G. Lytovchenko, N. T. Pavlovska, Yu. V. Pavlovsliy, I. P. Ostrovskiy. Actual problems of physics, mathematics and informatics. Annual sci. journ. (6), 2 (2014).
[17] V. M. Tsmots, P. G. Litovchenko, N. T. Pavlovska, Yu. V. Pavlovskyy, I. P. Ostrovskyy. Semiconductors. 44(5), 623 (2010).
[18] E. I. Givargizov, Growth of wires and planes crystals from vapor (Nauka, Moskow, 1977).
[19] A.I. Klimovskaya, I.V. Prokopenko, I.P. Ostrovskii. J. Phys. Condens. Matter. 13, 5923, (2001).
[20] Pat. 77284 Ukraine, G01R 33/16. Device for measuring the magnetic susceptibility of materials / V. M. Tsmotsj, I. S. Pankov, L. I. Pankov, Yu. V. Pavlovsky, V. V. Petrenko, T. S. Kavetsky, D. V. Labovka, M. M. Luchkevich, R. V. Okhrimovich, V. P. Salan, M. V. Zuper. – 20041008650; date 25.10.2004; publ. 15.11.2006, Bull. No11.
[21] G. P. Gaydar. Electronic treatment of materials. 48(1), 93 (2012).
[22] V. Tsmotsj, P. Lytovchenko, Yu. Pavlovskiy, I. Ostrovskiy, O. Lytovchenko, M. Luchkevych, I. Panjkiv, V. Salanj. Ukr. Phys. Journ. 53(1), 36 (2008).
[23] A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, P. Lytovchenko, N. Pavlovska, Yu. Pavlovskyy, Yu. Ugrin. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 393(1), 310 (2015).
[2] F. Zhang, Y. Ding, Y. Zhang, X. Zhang, Z. Wang. ACS Nano. 6(10), 9229 (2012).
[3] X. T. Zhou, J. Q. Hu, C. P. Li, D. D. Ma, C. S. Lee, S. T. Lee. Chemical Physics Letters. 369, 220 (2003).
[4] I. Maryamova, A. Druzhinin. E. Lavitska, I. Gortynska, Y. Yatzuk. Sensors and Actuators. A85(1-3), 153 (2000).
[5] A. A. Druzhynin, I. P. Ostrovskiy, S. M. Matvienko, Yu. P. Kohut. Technology and constr. in electron. devices. (1), 26 (2005).
[6] R. Baitsar, V. Voronin, E. Krasnogenov, N. Bogdanova. Sensors and Actuators. A30, 175 (1992).
[7] V. Voronin, I. Maryamova, Y. Zaganyach, E. Karetnikova, A. Kutrakov. Sensors and Actuators. A30, 27 (1992).
[8] A. O. Druzhynin, I. Y. Maryamova, E. N. Lavytska, O. P. Kutrakov. Sensors and systems. (6), 2 (2001).
[9] A. O. Druzhynin, I. Y. Maryamova, O. P. Kutrakov, N. S. Lyakh-Kahuy. Physics and Chemistry of Solid State. 12(4), 1078 (2011).
[10] Ya. Yang, Yu. Zhou, J.M. Wu. ACS Nano. 6(9), 8456 (2012).
[11] A. Druzhinin, I. Ostrovskii, N. Liakh-Kaguy. Journal of Thermoelectricity. (4), 82 (2009).
[12] V. Krivitsky, L. Hsiung, A. Lichtenstein, B. Brudnik, R. Kantaev, R. Elnathan, A. Pevzner, A. Khatchtourints, F. Patolsky. Nano Lett. 12(9), 4748 (2012).
[13] F. Patolsky, G. Zheng C. M. Lieber. Nanomedicine. 1(1), 51 (2006).
[14] Y. Zhou, Y. Liu, J. Cheng Y. Lo. Nano Lett. 12(11), 5929 (2012).
[15] V. A. Voronin, I. L. Maryamova, A. S. Ostrovskaya. Cryst. Prop. and Prepar. 36-39, 340 (1991).
[16] P. G. Lytovchenko, N. T. Pavlovska, Yu. V. Pavlovsliy, I. P. Ostrovskiy. Actual problems of physics, mathematics and informatics. Annual sci. journ. (6), 2 (2014).
[17] V. M. Tsmots, P. G. Litovchenko, N. T. Pavlovska, Yu. V. Pavlovskyy, I. P. Ostrovskyy. Semiconductors. 44(5), 623 (2010).
[18] E. I. Givargizov, Growth of wires and planes crystals from vapor (Nauka, Moskow, 1977).
[19] A.I. Klimovskaya, I.V. Prokopenko, I.P. Ostrovskii. J. Phys. Condens. Matter. 13, 5923, (2001).
[20] Pat. 77284 Ukraine, G01R 33/16. Device for measuring the magnetic susceptibility of materials / V. M. Tsmotsj, I. S. Pankov, L. I. Pankov, Yu. V. Pavlovsky, V. V. Petrenko, T. S. Kavetsky, D. V. Labovka, M. M. Luchkevich, R. V. Okhrimovich, V. P. Salan, M. V. Zuper. – 20041008650; date 25.10.2004; publ. 15.11.2006, Bull. No11.
[21] G. P. Gaydar. Electronic treatment of materials. 48(1), 93 (2012).
[22] V. Tsmotsj, P. Lytovchenko, Yu. Pavlovskiy, I. Ostrovskiy, O. Lytovchenko, M. Luchkevych, I. Panjkiv, V. Salanj. Ukr. Phys. Journ. 53(1), 36 (2008).
[23] A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, P. Lytovchenko, N. Pavlovska, Yu. Pavlovskyy, Yu. Ugrin. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 393(1), 310 (2015).
##submission.downloads##
Опубліковано
2018-03-15
Як цитувати
Павловський, Ю., Лука, Г., Островський, І., & Павловська, Н. (2018). Структура та магнітні властивості голкоподібних кристалів Si0,97Ge0,03. Фізика і хімія твердого тіла, 19(1), 14–20. https://doi.org/10.15330/pcss.19.1.14-20
Номер
Розділ
Огляд
