GaN based light emitters

М.М. Сльотов; О.М. Сльотов; Г.В. Поцілуйко-Григоряк; М.П. Мазур; Т.М. Мазур

doi:10.15330/pcss.25.2.297-302

Автор(и)

М.М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, Україна
О.М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, Україна
Г.В. Поцілуйко-Григоряк Чернівецький індустріальний фаховий коледж, Чернівці, Україна
М.П. Мазур Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу, Івано-Франківськ, Україна
Т.М. Мазур Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу, Івано-Франківськ, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.25.2.297-302

Ключові слова:

нітрид галію, шари і кристали, оптичні властивості, механізми випромінювальної рекомбінації

Анотація

У роботі розглядається отримання епітаксійних шарів GaN і кристалів та результати досліджень їх оптичних та люмінесцентних властивостей. Визначені параметри Δ_CR≈ 10 меВ і Δ_SO≈ 48 меВ зонної структури отриманих матеріалів гексагональної модифікації. Встановлено механізми основних рекомбінаційних процесів, що визначають формування випромінювання нелегованих і легованих Zn матеріалів. Встановлено роль міжзонної рекомбінації і анігіляції екситонів при формуванні випромінювання у високоенергетичному діапазоні та переходи носіїв через енергетичні стани, що формуються і утворюються власними точковими дефектами кристалічної гратки та легуючою домішкою. Аналізується роль відповідних рекомбінаційних процесів у формуванні спектрів короткохвильового випромінювання.

Посилання

A. Sadao, Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. (New Jersey: Wiley, 2009).

T. Mazur, M. Mazur, M. Halushchak, Surface-Barrier CdTe Diodes for Photovoltaics, Journal of Nano- and Electronic Physics, 15(2), 02004-1 (2023); https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02006.

V.B. Kopei, O.R. Onysko, V.G. Panchuk, Component-oriented acausal modeling of the dynamical systems in Python language on the example of the model of the sucker rod string, PeerJ Computer Science, 5, e227 (2019); https://doi.org/10.7717/peerj-cs.227.

M. Slyotov, А. Slyotov, The sources of radiation in the short-wave range on the basis of II-VI heterolayers, Journal IAPGOS, 4(4), (2018).

B. Dzundza, O. Kostyuk & T. Mazur, Software and Hardware Complex for Study of Photoelectric Properties of Semiconductor Structures, 39th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), Kyiv, 635 (2019); https://doi.org/10.1109/ELNANO.2019.8783544.

B. Naidych, T. Parashchuk, I. Yaremiy, M. Moyseyenko, O. Kostyuk, O. Voznyak, ... & L. Nykyruy, Structural and thermodynamic properties of Pb-Cd-Te thin films: Experimental study and DFT analysis, Journal of Electronic Materials, 50, 580 (2021); https://doi.org/10.1007/s11664-020-08561-5.

H. Nykyforchyn, V. Kyryliv, O. Maksymiv, V. Kochubei, R. Boyko, V. Dovhunyk, Wear resistance of the surface nanocrystalline structure under an action of diethyleneglycol medium, Applied Nanoscience, 9(5), 1085 (2019); https://doi.org/10.1007/s13204-018-0690-3.

Харків, МОНУ.- -396 С. E. I. Chernyakov, Yu. P. Machekhin, M. P. Kukhtin, Optoelectronics. (Kharkov, MONU, 396, 2015).

Mazur T.M., Prokopiv V.V., Slyotov M.M., Mazur M.P., Kinzerska O.V., Slyotov O.M. Optical properties of CdTe doped Ca. Physics and chemistry of solid state. 21(1), 52 (2020); https://doi.org/10.15330/pcss.21.1.52-56.

O. Ermakov Applied optoelectronics. (M.: Tekhnosfera, 416, 2004).

A.I. Kurnosov, V.V. Yudin, Technology of production of semiconductor devices and integrated circuits. (M.: Higher school, 368, 1986).

М.М. Slyotov, О.М. Slyotov, Preparation and luminescent properties of zinc sulfoselenide thin films, Physics and Chemistry of Solid State. 20(4), 354 (2019).

Yu.V. Vorobiev, V.I. Dobrovolsky, V.I. Stryha, Semiconductor research methods. (Vyshcha schola: Kyiv, 232, 1988).

T. Mazur, M. Slyotov, M. Mazur, V. Prokopiv, O. Kinzerska, O. Slyotov, Features of the cadmium chalcogenide substrates with surface nanostructure, Materials Today: Proceedings. 35(4), 661 (2019); https://doi.org/10.1016/j.matpr.2019.12.112.

V. Kyryliv, O. Maksymiv, V. Gurey, I. Hurey, Y. Kyryliv, O. Zvirko, The mode deformation effect on surface nanocrystalline structure formation and wear resistance of steel 41Cr4, Coatings. 12(2), 249 (2023); https://doi.org/10.3390/coatings13020249.

V. Kopei, O. Onysko, C. Barz, P. Dašić, V. Panchuk, Designing a multi-agent plm system for threaded connections using the principle of isomorphism of regularities of complex systems, Machines, 11(2), 263 (2023); https://doi.org/10.3390/machines11020263.

I. V. Horichok, L. I. Nykyruy, T. O. Parashchuk, S. D. Bardashevska, & M. P. Pylyponuk, Thermodynamics of defect subsystem in zinc telluride crystals, Modern Physics Letters B, 30(16), 1650172, (2016); https://doi.org/10.1142/S0217984916501724.

M. Cardona, Modulation spectroscopy. (M.: Mir, 416, 1972).

V.P. Gribkovsky, The theory of absorption and emission of light in semiconductors (Science and technology, Minsk, 464, 1975).

Koh Era, D.W. Langer, Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation, J. Luminescence, 1-2, 514 (1970).

M. Fox, Optical Properties of Solids. (Oxford, New York, 396, 2010).

M. Slyotov, T. Mazur, V. Prokopiv, O. Slyotov, M. Mazur, Sources of optical radiation based on ZnTe/ZnSe/ZnS heterostructures, Materials Today: Proceedings, 62, 5763 (2022); https://doi.org/10.1016/j.matpr.2022.03.476.

A.N. Georgobiani and M.K. Sheinkman, Physics of A2B6 compounds (M. Mir, 320, 1986).

P. Yu, M. Cardona, Fundamentals of semiconductor physics (M. Fizmatlit, 560, 2002).

Gavrilenko V.I, Grekhov A.M., Korbutyak D.V., Litovchenko V.G. Optical properties of semiconductors. Directory (Naukova Dumka, Kyiv, 608, 1987).

W.A. Melton, J.I. Pankove, GaN growth on sapphire, J. Cryst. Growth, 178, 168 (1997).