Джерела світла на основі гетероструктур CdTe/CdS/ZnS
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.25.1.136-141Ключові слова:
гетероструктура CdTe/CdS/ZnS, ізовалентне заміщення, джерела світла, висока квантова інтенсивністьАнотація
Встановлено оптимальні режими ізовалентного заміщення і вперше отримано гетероструктуру CdTe/CdS/ZnS, визначенo головні параметри зонної структури складових гетерошарів і характеристики отриманих джерел випромінювання. Висока квантова ефективність η ≈ 12-14 % поверхневого ZnS обумовлена ізовалентними домішками. Встановлено параметри зонної структури отриманих ізовалентно заміщених шарів CdS нетипової кубічної модифікації і ефективність η ≈ 7-8 % їх люмінесценції. Випромінювання отриманих шарів локалізується у крайовій області матеріалу і формується міжзонними випромінювальними переходами і домінуючою анігіляцією зв’язаних екситонів.
Посилання
A. Sadao Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. (New Jersey: Wiley, 2009).
T.M. Mazur, M.M. Slyotov, V.V. Prokopiv, O.M. Slyotov, M.P. Mazur, Light emitters based on II-VI chalcogenides with nanostructured surface, Molecular Crystals and Liquid Crystals, 752(1), 95 (2023); https://doi.org/10.1080/15421406.2022.2091276.
O. Ermakov Applied optoelectronics. (M.: Tekhnosfera, 416, 2004).
М. Slyotov, T. Mazur, V. Prokopiv, Oleksii Slyotov, Myroslav Mazur, Sources of optical radiation based on ZnTe/ZnSe/ZnS heterostructures, Materials Today: Proceedings, 62, 5763 (2022); https://doi.org/10.1016/j.matpr.2022.03.476.
H. Nykyforchyn, V. Kyryliv, O. Maksymiv, V. Kochubei, R. Boyko, V. Dovhunyk, Wear resistance of the surface nanocrystalline structure under an action of diethyleneglycol medium. Applied Nanoscience, 9(5), 1085 (2019);
https://doi.org/10.1007/s13204-018-0690-3.
A.N. Georgobiani and M.K. Sheinkman, Physics of A2B6 compounds (M. Mir, 320, 1986)
T. Mazur, M. Mazur, M. Halushchak, Surface-Barrier CdTe Diodes for Photovoltaics, Journal of Nano- and Electronic Physics, 15(2), 02004-1 (2023); https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02006.
D.V Korbutyak, S.V. Melnichuk, E.V Korbut, & M.M. Borisyuk, (2000). Cadmium telluride: impurity-defect states and detector properties (Ivan Fedorov: Kyiv, 198, 2000).
I.V. Gorichok, P.M. Fochuk, Y.V. Verzhak, T.O. Parashchuk, D.M. Freik, O.E. Panchuk, ... & R.B. James, Compensation mechanism of bromine dopants in cadmium telluride single crystals, Journal of Crystal Growth, 415, 146 (2015); https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.11.005.
B. Naidych, T. Parashchuk, I. Yaremiy, M. Moyseyenko, O. Kostyuk, O. Voznyak, ... & L. Nykyruy, Structural and thermodynamic properties of Pb-Cd-Te thin films: Experimental study and DFT analysis, Journal of Electronic Materials, 50, 580 (2021); https://doi.org/10.1007/s11664-020-08561-5.
R. Ahiska, D. Freik, T. Parashchuk, & I Gorichok, Quantum chemical calculations of the polymorphic phase transition temperatures of ZnS, ZnSe, and ZnTe crystals, Turkish Journal of Physics, 38(1), 125 (2014); https://doi.org/10.3906/fiz-1301-7.
Y. P. Saliy, L. I. Nykyruy, R. S. Yavorskyi, & S. Adamiak, The surface morphology of CdTe thin films obtained by open evaporation in vacuum, Journal of nano-and electronic physics, 9(5) (2017); https://doi.org/10.21272/jnep.9(5).05016.
V.I. Fistul, Atoms of dopants in semiconductors (state and behavior), (Fizmatlit: Moskva, 432, 2004).
T. Mazur, V. Prokopiv, L. Turovska, Quasi-chemistry of intrinsic point defects in cadmium telluride thin films, Molecular Crystals and Liquid Crystals, 671(1), 85 (2018); https://doi.org/10.1080/15421406.2018.1542088.
M. M. Slyotov, А. M. Slyotov, The sources of radiation in the short-wave range on the basis of II-VI heterolayers, Journal IAPGOS, 4(4), (2018).
Yu.V. Vorobiev, V.I. Dobrovolsky, V.I. Stryha, Semiconductor research methods. (Vyshcha schola: Kyiv, 232, 1988).
S.V. Bulyarskiy, V.I. Fistul, Termodinamika i kinetika vzaimodeystvuyushchikh defektov v poluprovodnikakh. (M. Nauka. Fizmatlit, 352, 1997).
T. M. Mazur, M. M. Slyotov, O. M. Slyotov, M. P. Mazur, Light Emitters Based on CdTe Doped with Isovalent Impurities, Physics and chemistry of solid state, 23(2), 317 (2022); https://doi.org/10.15330/pcss.23.2.317-321.
V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, E.V. Stets, I.V. Tkachenko, V.V. Gorley, P.P. Horley, Application of modulation spectroscopy for determination of recombination center parameters, Thin Solid Films, 450, 222 (2004).
Gavrilenko V.I, Grekhov A.M., Korbutyak D.V., Litovchenko V.G. Optical properties of semiconductors. Directory (Naukova Dumka, Kyiv, 608, 1987).
V.P. Gribkovsky, The theory of absorption and emission of light in semiconductors (Science and technology, Minsk, 464, 1975).
Ya.E. Pokrovsky, Radiative recombination in semiconductors (M. Science, 304, 1972)
Era Koh, D.W. Langer, Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation. J. Luminescence, 1-2, 514 (1970)
S. Zi, Physics of semiconductor devices (M. Mir, 352, 1984).
P. Yu, M. Cardona, Fundamentals of semiconductor physics (M. Fizmatlit, 560, 2002).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2024 M.M. Slyotov, O.M. Slyotov, O.V. Кinzerska, T.M. Мazur, I.V. Horichok, M.P. Mazur
Ця робота ліцензованаІз Зазначенням Авторства 3.0 Міжнародна.
