Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.17.4.507-510Ключові слова:
InSe, шаруваті кристали, гетеропереходи, АСМ-зображення, спектральні характеристикиАнотація
Досліджені фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe – n-InSe, що сформовані методом механічного контакту окисленої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетерограниці p-GaTe – n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga2O3. Побудована енергетична зонна діаграма гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe – n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм.
Посилання
[1] V. N. Katerinchuk, M. Z. Kovaljuk, A. D. Ogorodnik, Neorg. mater. 32 (8), 937 (1996).
[2] V. L. Bakumenko, Z. D. Kovaljuk, L. N. Kurbatov, V. G. Tagaev, V. F. Chishko, FTP 14 (6), 1115 (1980).
[3] Z. D. Kovaljuk, Fizicheskie osnovy poluprovodnikovogo materialovedenija (Kiev, Naukova dumka, 1986).
[4] V. N. Katerinchuk, Z. R. Kudrinskij, Z. D. Kovaljuk, FTP 49 (5), 612 (2015).
[5] A. K. Geim and I. V. Grigorieva, Van der Waals heterostructures (Manchester, Nature, 2013) v. 499, p. 419.
[6] K. S. Novoselov, A. H. Castro Neto, Phys. Scr. 146, 014006 (2012).
[7] A. G. Milnes, D. L. Feucht. Heterojunction and metal-semiconductor junction (New York, Academic Press, 1972).
[8] N. Balakrishnan, Z. R. Kudrynskyi, M. W. Fay, G. W. Mudd, S. A. Svatek, O. Makarovsky, Z. D. Kovalyuk, L. Eaves, P. H. Beton, A. Patanu, Advanced Optical Materials 2(11), 1064 (2014).
[9] V. M. Katerinchuk, Z. D. Kovaljuk, M. V. Tovarnic'kij, Ukr. fіz. zh. 45(1), 87 (2000).
[10] K. Davletov, F. Ragimov, FTP 16(9), 1631 (1982).
[2] V. L. Bakumenko, Z. D. Kovaljuk, L. N. Kurbatov, V. G. Tagaev, V. F. Chishko, FTP 14 (6), 1115 (1980).
[3] Z. D. Kovaljuk, Fizicheskie osnovy poluprovodnikovogo materialovedenija (Kiev, Naukova dumka, 1986).
[4] V. N. Katerinchuk, Z. R. Kudrinskij, Z. D. Kovaljuk, FTP 49 (5), 612 (2015).
[5] A. K. Geim and I. V. Grigorieva, Van der Waals heterostructures (Manchester, Nature, 2013) v. 499, p. 419.
[6] K. S. Novoselov, A. H. Castro Neto, Phys. Scr. 146, 014006 (2012).
[7] A. G. Milnes, D. L. Feucht. Heterojunction and metal-semiconductor junction (New York, Academic Press, 1972).
[8] N. Balakrishnan, Z. R. Kudrynskyi, M. W. Fay, G. W. Mudd, S. A. Svatek, O. Makarovsky, Z. D. Kovalyuk, L. Eaves, P. H. Beton, A. Patanu, Advanced Optical Materials 2(11), 1064 (2014).
[9] V. M. Katerinchuk, Z. D. Kovaljuk, M. V. Tovarnic'kij, Ukr. fіz. zh. 45(1), 87 (2000).
[10] K. Davletov, F. Ragimov, FTP 16(9), 1631 (1982).
##submission.downloads##
Опубліковано
2016-12-15
Як цитувати
Катеринчук, В., Литвин, О., Кудринський, З., Ковалюк, З., Ткачук, І., & Кушнір, Б. (2016). Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe. Фізика і хімія твердого тіла, 17(4), 507–510. https://doi.org/10.15330/pcss.17.4.507-510
Номер
Розділ
Наукові статті
