Електричні властивості тонких шарів CdTe <Ca>
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.372-375Ключові слова:
кадмій телурид, провідність, концентрація, точкові дефектиАнотація
Описано методику отримання тонких шарів кадмій телуриду p-типу провідності шляхом хімічного легування поверхні кристалів кадмій телуриду кальцієм. Досліджено залежності електричних властивостей одержаних плівок від технологічних факторів їх отримання. Визначено провідність легованого шару, швидкість та глибину дифузії.
Посилання
V.P. Makhniy, T.M. Mazur, M.M. Berezovsky, O.V. Kinzerska, V.V. Prokopiv, Physics and Chemistry of Solid State 19(4), 313 (2018) (https://doi.org/10.15330/pcss.19.4.313-315).
E.V. Kuchis, Metody issledovaniya effekta Holla (Sovetskoe radio, Moskva,1974).
N.F. Kovtonyuk, Izmerenie parametrov poluprovodnikovyih materialov (Metallurgiya, Moskva, 1970).
T.M. Razykov, K.M. Kuchkarov, B.A. Ergashev, A.N. Hubbimov, M.K. Khakkulov, Physica 13, 572 (2002).
Y.P. Saliy, I.M. Freik, Physics and Chemistry of Solid State 5(1), 94 (2004).
V.P. Makhniy, Physics and Chemistry of Point Defects in Semiconductors (Chernivtsi National University, Chernivtsi, 2014).
D. Freik, L.Turovska, Chemistry and Chemical Technology 7(4), 375 (2013).
L.V. Turovska, Physics and Chemistry of Solid State 20(2), 190 (2019) (https://doi.org/10.15330/pcss.20.2.190-195).
S.S. Lisniak, Inorganic Materials 29(9), 1913 (1992).
T. Mazur, V. Prokopiv, L. Turovska, Molecular Crystals and Liquid Crystals 671(1), 85 (2018) (https://doi.org/10.1080/15421406.2018.1542088).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
