Колоїдні нанокристали на основі Cu2ZnSnS4 леговані Ag: синтез та дослідження методом раманівської спектроскопії
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.22.2.260-268Ключові слова:
CZTS, нанокристали, колоїдний розчин, раманівська спектроскопія, фонони, DFT, сонячні елементиАнотація
Cu2ZnSnS4 (CZTS) - один із перспективних матеріалів для поглинаючих шарів тонкоплівкових сонячних елементів нового покоління. В даній роботі розглянуто різні підходи синтезу таких матеріалів з покращеними властивостями та досліджено їх структурні та оптичні характеристики. Варіювання параметрів CZTS (НК) здійснювалося шляхом часткового заміщення катіонів в процесі їх синтезу в колоїдному водному розчині. Зміна параметрів синтезу, зокрема рН розчину, застосовувалась для поліпшення кристалічності НК. Крім того, були успішно синтезовані НК CZTS з частковим заміщенням Cu на Ag. Раманівська спектроскопія використовувалась як основний метод структурної характеристики отриманих НК, поряд із оптичною спектроскопією поглинання та розрахунками динаміки ґратки ab initio DFT (Density Functional Theory). В експериментальних раманівських спектрах спостерігається незначний високочастотний зсув характеристичної смуги при збільшенні вмісту Ag в НК (AgxCu1-x)2ZnSnS4 , що добре узгоджується з розрахунками DFT. Той факт, що даним методом не було отримано чистих Ag2ZnSnS4 НК вказує на критичну роль Cu у формуванні структури кестериту в заданих умовах синтезу у водному середовищі.
Посилання
B. Zhang, J. Sun, U. Salahuddin, P. Gao, Nano Futur. 4, 012002 (2020).
O. Stroyuk, Springer, Cham, 2018 https://doi.org/10.1007/978-3-319-68879-4.
A.I. Kachmar, V.M. Boichuk, I.M. Budzulyak, O. Volodymyr, B.I. Rachiy, R.P. Lisovskiy, et al., Fullerenes, Nanotub. Carbon Nanostructures 27, 669 (2019) https://doi.org/10.1080/1536383X.2019.1618840.
H. Zhou, W. Hsu, H. Duan, B. Bob, W. Yang, Energy Environ. Sci. 6, 2822 (2013) https://doi.org/10.1039/c3ee41627e.
V.A. Akhavan, B.W. Goodfellow, M.G. Panthani, C. Steinhagen, T.B. Harvey, C.J. Stolle, et al., J. Solid State Chem. 189, 2 (2012) https://doi.org/10.1016/j.jssc.2011.11.002.
S. Giraldo, Z. Jehl, M. Placidi, V. Izquierdo-roca, A. Pérez-rodríguez, E. Saucedo, Adv. Mater. 1806692 (2019) https://doi.org/10.1002/adma.201806692.
Y.E. Romanyuk, S.G. Haass, S. Giraldo, M. Placidi, D. Tiwari, D.J. Fermin, et al., J. Phys. Energy 1, 044004 (2019) https://doi.org/10.1088/2515-7655/ab23bc.
X. Yu, S. Cheng, Q. Yan, J. Yu, W. Qiu, Z. Zhou, et al., RSC Adv. 8, 27686 (2018) https://doi.org/10.1039/C8RA04958K.
X. Liang, P. Wang, B. Huang, Q. Zhang, Z. Wang, Y. Liu, et al., ChemPhotoChem. 811 (2018) https://doi.org/10.1002/cptc.201800109.
I. Tsuji, Y. Shimodaira, H. Kato, H. Kobayashi, A. Kudo, Chem. Mater. 22, 1402 (2010) https://doi.org/10.1021/cm9022024.
N. Liu, F. Xu, Y. Zhu, Y. Hu, G. Liu, L. Wu, et al., J. Mater. Sci Mater. Electron. 31, 5760 (2020) https://doi.org/10.1007/s10854-020-03146-8.
A. Saha, A. Figueroba, G. Konstantatos, Chem. Mater. 32, 2148 (2020) https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.9b05370.
O. Stroyuk, A. Raevskaya, N. Gaponik, Chem. Soc. Rev. 47, 5354 (2018) https://doi.org/10.1039/c8cs00029h.
M. Dimitrievska, A. Fairbrother, X. Fontané, T. Jawhari, V. Izquierdo-Roca, E. Saucedo, et al., Appl. Phys. Lett. 104, 021901 (2014) https://doi.org/10.1063/1.4861593.
Y. Havryliuk, M.Y. Valakh, V. Dzhagan, O. Greshchuk, V. Yukhymchuk, A. Raevskaya, et al., RSC Adv. 8, 30736 (2018) https://doi.org/10.1039/C8RA05390A.
M. Guc, A.P. Litvinchuk, S. Levcenko, M.Y. Valakh, I. V. Bodnar, V.M. Dzhagan, et al., RSC Adv. 6, 13278 (2016) https://doi.org/10.1039/C5RA26844C.
J.F.L. Lox, Z. Dang, V.M. Dzhagan, D. Spittel, B. Martín-García, I. Moreels, et al., Chem. Mater. 30, 2607 (2018) https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.7b05187.
J. Li, B. Kempken, V. Dzhagan, D.R.T. Zahn, J. Grzelak, S. Mackowski, et al., CrystEngComm. 17, 5634 (2015) https://doi.org/10.1039/C5CE00380F.
V.V Brus, I.S. Babichuk, I.G. Orletskyi, P.D. Maryanchuk, V.O. Yukhymchuk, V.M. Dzhagan, et al., Appl. Opt. 55, B158 (2016) https://doi.org/10.1364/AO.55.00B158.
G. Gurieva, D.M. Többens, M.Y. Valakh, S. Schorr, J. Phys. Chem. Solids. 99, 100 (2016) https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2016.08.017.
V. Dzhagan, B. Kempken, M. Valakh, J. Parisi, J. Kolny-Olesiak, D.R.T. Zahn, Appl. Surf. Sci. 395, 24 (2017) https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.08.063.
V.M. Dzhagan, Y.M. Azhniuk, A.G. Milekhin, D.R.T. Zahn, J. Phys. D Appl. Phys. 51, 503001 (2018) https://doi.org/10.1088/1361-6463/aada5c.
V.V. Strelchuk, S.I. Budzulyak, I.M. Budzulyak, R.V. Ilnytsyy, V.O. Kotsyubynskyy, M.Ya. Segin, L.S.Yablon, Semicond. Physics, Quantum Electron. Optoelectron. 13, 309 (2010) https://doi.org/10.15407/spqeo13.03.
O. Selyshchev, Y. Havryliuk, M.Y. Valakh, V.O. Yukhymchuk, O. Raievska, O.L. Stroyuk, et al., ACS Appl. Nano Mater. 3, 5706 (2020) https://doi.org/10.1021/acsanm.0c00910.
K. Cheng, S. Hong, ACS Appl. Mater. Interfaces. 10, 22130 (2018) https://doi.org/10.1021/acsami.8b04849.
K. Pietak, C. Jastrzebski, K. Zberecki, D.J. Jastrzebski, W. Paszkowicz, S. Podsiadlo, J. Solid State Chem. 290, 121467 (2020) https://doi.org/10.1016/j.jssc.2020.121467.
A. Nagaoka, K. Yoshino, K. Kakimoto, K. Nishioka, J. Cryst. Growth. 555, 125967 (2021) https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125967.
J. Kumar, S. Ingole, J. Alloy. Compd. 865, 158113 (2021) https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.158113.
L. Qiu, J. Xu, Nanomaterials 9, 1520 (2019) https://doi.org/10.3390/nano9111520.
V.A. Online, K. Timmo, M. Altosaar, M. Pilvet, V. Mikli, M. Grossberg, et al., J. Mater. Chem. A. 7, 24281 (2019) https://doi.org/10.1039/c9ta07768e.
X. Chen, J. Wang, W. Zhou, Z. Chang, D. Kou, Z. Zhou, et al., Mater. Lett. 181, 317 (2016) https://doi.org/10.1016/j.matlet.2016.06.037.
X. Hu, S. Pritchett-Montavon, C. Handwerker, R. Agrawal, J. Mater. Res. 4, 3810 (2019) https://doi.org/10.1557/jmr.2019.328.
O. Stroyuk, A. Raevskaya, O. Selyshchev, V. Dzhagan, N. Gaponik, D.R.T. Zahn, et al., Sci. Rep. 8, 13677 (2018) https://doi.org/10.1038/s41598-018-32004-1.
O.A. Kapush, L.I. Trishchuk, V.N. Tomashik, Z.F. Tomashik, S.D. Boruk, J. Inorg. Chem. 58, 1166 (2013) https://doi.org/10.1134/S0036023613100124.
J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996) https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.77.3865.
S.J. Clark, M.D. Segall, C.J. Pickard, P.J. Hasnip, M.J. Probert, K.Z. Refson, et al., Z. Krist. 220, 567 (2005) https://doi.org/10.1524/zkri.220.5.567.65075.
H.J. Monkhorst, J.D. Pack, Phys. Rev. B. 13, 5188 (1976) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.13.5188.
A.P. Litvinchuk, V.M. Dzhagan, V.O. Yukhymchuk, M.Y. Valakh, I.S. Babichuk, O. V. Parasyuk, et al., Phys. Rev. B. 90, 165201 (2014) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.165201.
M. Dimitrievska, F. Boero, A.P. Litvinchuk, S. Delsante, G. Borzone, A. Perez-Rodriguez, et al., Inorg. Chem. 56, 3467 (2017) https://doi.org/10.1021/acs.inorgchem.6b03008.
R. Caballero, E. Garcia-Llamas, J.M.M. Merino, M. León, I. Babichuk, V. Dzhagan, et al., Acta Mater. 65 412 (2013) https://doi.org/10.1016/j.actamat.2013.11.010.
M. Guc, S. Schorr, G. Gurieva, M. Guc, M. Dimitrievska, J. Phys. Energy. 2, 012002 (2020) https://doi.org/10.1088/2515-7655/ab4a25.
G. Gurieva, D.M.M. Többens, M.Y.Y. Valakh, S. Schorr, J. Phys. Chem. Solids. 99, 100 (2016) https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2016.08.017.
C. Rein, S. Engberg, J.W. Andreasen, J. Alloys Compd. 787, 63 (2019) https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.02.014.
A. Khare, A.W. Wills, L.M. Ammerman, D.J. Norris, E.S. Aydil, Chem. Commun. 47, 11721 (2011) https://doi.org/10.1039/c1cc14687d.
W.C. Liu, B.L. Guo, X.S. Wu, F.M. Zhang, C.L. Mak, K.H. Wong, J. Mater. Chem. A. 1, 3182 (2013) https://doi.org/10.1039/c3ta00357d.
X. Wang, Z. Sun, C. Shao, D.M. Boye, J. Zhao, Nanotechnology 22, 245605 (2011) https://doi.org/10.1088/0957-4484/22/24/245605.
B. Flynn, W. Wang, C.H. Chang, G.S. Herman, Phys. Stat. Sol. 209, 2186 (2012) https://doi.org/10.1002/pssa.201127734.
S.P. Kandare, S.S. Dahiwale, S.D. Dhole, M.N. Rao, R. Rao, Mater. Sci. Semicond. Process. 102, 104594 (2019) https://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.104594.
M.Y. Valakh, V.M. Dzhagan, I.S. Babichuk, X. Fontane, A. Perez-Rodriquez, S. Schorr, JETP Lett. 98, 255 (2013) https://doi.org/10.1134/S0021364013180136.
Y. Zhao, X. Han, B. Xu, W. Li, J. Li, J. Li, et al., IEEE J. Photovoltaics 7, 874 (2017) https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2017.2675993.
Y. Jiang, B. Yao, Y. Li, Z. Ding, H. Luan, J. Jia, et al., Mater. Sci. Semicond. Process. 81, 54 (2018) https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.03.014.
W. Gong, T. Tabata, K. Takei, M. Morihama, T. Maeda, T. Wada, Phys. Stat. Sol. 12, 700 (2015) https://doi.org/10.1002/pssc.201400343.
A. Ibrahim, A. Guchhait, S. Hadke, H.L. Seng, L.H. Wong, ACS Appl. Energy Mater. 3, 10402 (2020) https://doi.org/10.1021/acsaem.0c01165.