Термопольова стабілізація порогової напруги польових транзисторів субмікронної технології ВІС

Автор(и)

  • С.П. Новосядлий ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника»
  • В.М. Грига ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника»
  • І.І. Куриш ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника»
  • М.І. Мельник ДВНЗ «Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника»

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.19.4.352-357

Ключові слова:

польові транзистори, субмікронні технології, ВІС

Анотація

На основі аналізу об’ємної відповідності фаз в діючій затворній системі Si-SiO2 показана можливість отримання від’ємного заряду в затворній системі субмікронних ВІС. Такий технологічний метод експериментально провірений при низькотемпературному оксидуванні кремнію, на що отримано патент на винахід. Дослідженнями встановлено, що на величину заряду на міжфазній межі можна суттєво впливати шляхом введення в окислювальну атмосферу галогеновмісних сполук.

Посилання

S. P. Novosyadlij, Sub-and nanomicron technology for forum structures of the BIS. Monograph (City NB, Ivano-Frankivsk, 2010).

S. P. Novosyadly, AI Terletskyj, Diagnostics of submicron structures of the BIS. Monograph (Simak, Ivano-Frankivsk, 2016).

Ya. S. Budachan, P. I. Melnik, S. P. Novosyadliy, Laboratory-Calculation Workshop on Semiconductor Physics and Solid State Theory (Alpha, Ivano-Frankivsk, 2008).

Patent for Utility Model N27540., "Method for producing n-MOS transistors with negative threshold voltage". Novosyadly S.P., Beretan B. M. has published November 12, 2007

P. Balh-Amsterdam et al., The Si-SiO2 system/EN (Elsevier, 1988).

R. F. De Keermaecker, D. I. Maria, I. Appl Phys. 51(1), 1085 (1980).

L. Krusin-Elbaum, G.A. Lai-Halasa, Appl Phys. Lett 48(2), 177 (1986) (doi:10.1063/1.96935).

A.V. Yemelyanov, Electronic Technology. Ser. 3. Microelectronics 2 (119), 3 (1985).

N.V. Ruman, System silicon-silicon dioxide in PSS transistors, ed. V. M. Koleshko (Science and technology, Minsk, 1986).

N. V. Ruman, V. V. Khatono, V. S. Malyshev, Academy of Sciences of the BSSR. Ser. Physical 3, 20 (1987).

N. A. Avaev, Yu. E. Naumov, Elementy of superlarge integrated circuits (Radio and Svyaz, Moscow, 1986).

S.K. Lee, D.I. Kwong, M.S. Alvi, I. Appl. Phys. 60 (9), 3360 (1986).

Simulation of semi-visual devices and technological processes. Last achievements. Edited by D. Miller trans. English (Radio and Link, Moscow, 1989).

S. P. Novosyadliy, R. I. Zapukhlyak, P. I. Melnik, Physics and Chemistry of Solid State 6(2), 153 (2001).

S. P. Novosyadliy, Bulletin of the Kharkiv University. Series physics. Kernels, particles, circles 1(9), 65 (2000).

S. P. Novosyadlyi, Physics and Chemistry of Solid State 3(1), 175 (2002).

##submission.downloads##

Опубліковано

2018-12-25

Як цитувати

Новосядлий, С., Грига, В., Куриш, І., & Мельник, М. (2018). Термопольова стабілізація порогової напруги польових транзисторів субмікронної технології ВІС . Фізика і хімія твердого тіла, 19(4), 352–357. https://doi.org/10.15330/pcss.19.4.352-357

Номер

Розділ

Наукові статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>